HTPC-Home.ru

AMD Socket AM4 + all
Cистемы охлаждения
DDR 2
DDR 3
DDR 4
M.2 на шине PCI-E
USB Flash drive
Блоки питания
Видеокарты
Внешние HDD (USB)
Внешние SSD (USB)
Внешние аккумуляторы Romoss
Для компьютеров (3.5")
Для ноутбуков (2.5")
Для ноутбуков (SODIMM)
Оперативная память (Random Access Memory)
4Gb Micron SODIMM PC4-25600 3200MHz MTA4ATF51264HZ-3G2R1
4Gb Micron SODIMM PC4-25600 3200MHz MTA4ATF51264HZ-3G2R1
500 ₽
Crucial Ballistix BLE8G4D26AFEA DDR4 DIMM 8Gb CL16
Объем: 1х 8ГБ;Частота: 2666МГц;Латентность: CL16;Задержки: 16-17-17-36;Форм-фактор: DIMM, 288-pin;Особенности: оснащается радиатором;Тип поставки: Ret
2900 ₽
Модуль памяти 32Gb SAMSUNG M471A4G43MB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
оригинальный модуль памяти 32Gb SAMSUNG M471A4G43MB1-CTD1 модуль памяти DDR4объем модуля 32 ГБформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 2666 МГцCAS Latency (CL): 19
9500 ₽
Модуль памяти 4Gb Corsair Vengeance CMZ4GXM1A2133C9R DDR3 2133 DIMM
Оригинальный модуль Corsair Vengeance CMZ4GXM1A2133C9Rтип памяти DDR3объем модуля 4 ГБформ-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 2133 МГц
1000 ₽
Модуль памяти 8GB Crucial CT8G4SFRA266.C16FG DDR4 2666 SODIMM
тип: DDR4 объем одного модуля: 8 ГБ тактовая частота: 2666 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1
2500 ₽
Модуль памяти 8Gb Transcend JM2666HSG-8G DDR4 2666 SO-DIMM
2360 ₽
Модуль памяти FB-DIMM DDR2 2GB PC2-5300 667MHz ECC Reg CL5 18-chip 1.8V for MAC Pro
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор FB-DIMM, 240-контактный частота 667 МГц поддержка ECC
2000 ₽
Оперативная память 16GB Kingston KVR26S19S8/16 DDR4 2666MHz SODIMM CL19
объем памяти: 16 ГБтип: DDR4 SODIMM 260-pinтактовая частота: 2666 МГцтайминги: 19напряжение питания: 1.25 В
3500 ₽
Оперативная память 16GB Samsung Original M393A2K40BB0-CPB DDR4 2133 DIMM ECC REG
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2133 МГц тайминги: 15-15-15 напряжение питания: 1.2 В
4000 ₽
Оперативная память 16Gb Crucial CB16GU2666.C8ET DDR4 2666 DIMM CL19
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В
4500 ₽
Оперативная память 16Gb Crucial CT16G4DFRA266 DDR4 2666 DIMM
объем памяти: 16 ГБтип: DDR4 DIMM 288-pinтактовая частота: 2666 МГцтайминги: 19-19-19напряжение питания: 1.2 В
3500 ₽
Оперативная память 16Gb Crucial CT16G4SFD8266 DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
4000 ₽
Оперативная память 16Gb HYNIX HMA82GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3300 ₽
Оперативная память 16Gb HYNIX HMA82GS6CJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3100 ₽
Оперативная память 16Gb HYNIX HMA82GS6JJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3100 ₽
Оперативная память 16Gb Hynix HMA82GS6DJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
4200 ₽
Оперативная память 16Gb Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В
4500 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KCP426SD8/16 DDR4 2666MHz SODIMM
4000 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KVR26N19D8/16 DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3200 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KVR26N19S8/16 DDR4 2666 DIMM CL19
объем памяти: 16 ГБтип: DDR4 DIMM 288-pinтактовая частота: 2666 МГцпропускная способность PC21300тайминги: 19-19-19-32напряжение питания: 1.2 В
3000 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KVR26S19D8/16 DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3300 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KVR32S22D8/16 DDR4 3200 SODIMM CL22
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22
3200 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston KYXCOV-MIDS17324 DIMM 2400MHz
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3700 ₽
Оперативная память 16Gb Kingston ValueRAM KVR32S22S8/16 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston KVR32S22S8/16 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22
3300 ₽
Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-2G3H1 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
4200 ₽
Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-2G6H1 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Micron MTA16ATF2G64HZ-2G6H1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 17 Подходит для Synology NAS DS220+ DS420+ DS423+
4700 ₽
Оперативная память 16Gb Micron MTA16ATF2G64HZ-3G2J1 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальная планка памяти Micron MTA16ATF2G64HZ-3G2J1 объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
3500 ₽
Оперативная память 16Gb SAMSUNG M323R2GA3DB0-CWM0D DDR5 5600 DIMM
Оригинальный модуль памяти SAMSUNG M323R2GA3DB0-CWM0Dобъем одного модуля 16 ГБтип DDR5 DIMM 288-pinтактовая частота 5600 МГцЛатентность CL46напряжение питания 1.1 Впропускная способность PC44800
4700 ₽
Оперативная память 16Gb SAMSUNG M378A2K43BB1-CRC DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3700 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M378A2K43CB1-CRC DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3700 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M425R2GA3BB0-CQK DDR5 4800 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CQK0LКоличество модулей в комплекте: 1 шт.Объем одного модуля: 16 ГБТип: DDR5 SODIMMТактовая частота: 4800 МГПропускная способность, Мб/с 3840Напряжение 1.1ВЛат
3990 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2G43AB2-CWE DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
3500 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43BB1-CRC DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
4000 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43CB1-CRC DDR4 2400 SODIMM
1 модуль памяти DDR4объем модуля 16 Гбформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 2400 МГцCAS Latency (CL): 17
3900 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3700 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43DB1-CTD DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3500 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43DB1-CWE DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
4000 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M471A2K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
объем памяти: 16 ГБтип: DDR4 SODIMM 260-pinтактовая частота: 3200 МГцнапряжение питания: 1.2 Впропускная способность: PC25600
5500 ₽
Оперативная память 16Gb Samsung M474A2K43BB1-CRCQ DDR4 2400 SODIMM ECC
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17 Поддержка ECC
4200 ₽
Оперативная память 16Gbx4 Crucial BLT4K16G4D26BFT4 Ballistix Tactical Tracer RGB DDR4 2666 МГц CL16
Объем памяти 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ)Тип DDR4 DIMM 288-pinТактовая частота 2666 МГцТайминги 16-18-18Напряжение питания 1.2 ВПропускная способность PC21300Особенности радиатор, XMP, RGB-подсветка, игровая
13800 ₽
Оперативная память 16Gbx4 HyperX Fury HX434C17FB4AK4/64 DDR4 3466 DIMM RGB
объем памяти: 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3466 МГц тайминги: 17-17-21-21 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC27700 радиатор: да RGB-подсветка: да
19500 ₽
Оперативная память 16Gbx4 KIT Kingston HyperX Fury RGB HX430C15FB3AK4/64 DDR4 3000 DIMM
Оперативная память 16Gbx4 KIT Kingston HyperX Fury RGB HX430C15FB3AK4/64 DDR4 3000 DIMM
17550 ₽
Оперативная память 16Gbx4 KIT Kingston HyperX Predator HX430C15PB3K4/64 DDR4 3000 DIMM
4 модуля памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3000 МГц радиатор CAS Latency (CL): 15
14000 ₽
Оперативная память 2GB SAMSUNG M470T5663RZ3-CF7 DDR2 800 SO-DIMM
Объем памяти 2 ГБТип DDR2 SODIMM 200-pinТактовая частота 800 МГцТайминги 6-6-6Напряжение питания 1.8 ВПропускная способность PC6400
700 ₽
Оперативная память 2GB SAMSUNG M470T566QZ3-CE6 DDR2 667 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR2объем модуля 2 ГБформ-фактор SODIMM, 200-контактныйчастота 667 МГц
700 ₽
Оперативная память 2Gb ADATA ADOVF1B163GE DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 1 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц
600 ₽
Оперативная память 2Gb Apacer AU02GFA60CAQBGJ DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
120 ₽
Оперативная память 2Gb Crucial CT25664BA160B DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
150 ₽
Оперативная память 2Gb Hynix DDR2 800 DIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц
400 ₽
Оперативная память 2Gb Hynix HMP125U6EFR8C-S6 DDR2 800 DIMM
объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 DIMM 240-pin тактовая частота: 800 МГц тайминги: 6-6-6 напряжение питания: 1.8 В
500 ₽
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP112S64CP6 DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 1 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц
700 ₽
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125S64CP8-S6 DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц
500 ₽
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125S64CP8-Y5 DDR2 667 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 667 МГц CAS Latency (CL): 5
700 ₽
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125U64CP8 DDR2 800 DIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6
500 ₽
Оперативная память 2Gb Kingston KVR1333D3N9/2G DDR3 1333 DIMM Low Profile 16 chip
1 модуль памяти DDR3объем модуля 2 ГБформ-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 1333 МГцCAS Latency (CL): 9
230 ₽
Оперативная память 2Gb Kingston KVR667D2N5/2G DDR2 667 DIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 667 МГц CAS Latency (CL): 5
600 ₽
Оперативная память 2Gb Kingston KVR800D2N6/2G DDR2 800 DIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6
750 ₽
Оперативная память 2Gb Kingston KVR800D2N6/2G DDR2 800 DIMM Low Profile
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6 низкопрофильное исполнение
750 ₽
Оперативная память 2Gb Kingston KVR800D2S6/2G DDR2 800 SODIMM
объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 SODIMM 200-pin тактовая частота: 800 МГц тайминги: 6 напряжение питания: 1.8 В
700 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M378B5673FH0-CH9 DDR3 1333 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
400 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M378B5773CH0-CH9 DDR3 1333 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
230 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M378B5773DH0-CH9 DDR3 1333 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
170 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M378T5663DZ3-CF7 DDR2 800 DIMM
Количество модулей в комплекте 1 шт.Объем одного модуля 2 ГБТип DDR2 DIMM 240-pinТактовая частота 800 МГцНапряжение питания 1.8 ВПропускная способность PC6400
900 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M378T5663EH3-CF7 DDR2 800 DIMM
объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 DIMM 240-pin тактовая частота: 800 МГц тайминги: 6-6-6 напряжение питания: 1.8 В
500 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M378T5663FB3-CF7 DDR2 800 DIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц
500 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M378T5663QZ3-CF7 DDR2 800 DIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц
500 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M378T5663RZ3-CF7 DDR2 800 DIMM
Количество модулей в комплекте 1 шт.Объем одного модуля 2 ГБТип DDR2 DIMM 240-pinТактовая частота 800 МГцНапряжение питания 1.8 ВПропускная способность PC6400
600 ₽
Оперативная память 2ГБ Kingston KVR667D2S5/2G DDR2 667 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 667 МГц CAS Latency (CL): 5
1100 ₽
Оперативная память 32GB Crucial CT32G48C40S5.C16A1 DDR5 PC5-4800 SODIMM CL40
Оригинальный модуль памяти 32GB Crucial CT32G48C40S5Eмкость 32 ГБФорм-фактор SO-DIMMТип DDR5Тактовая частота 4800 МГцПропускная способность 38400 МБ/сCL 40Тайминги 40-39-39Напряжение 1,1 В
9200 ₽
Оперативная память 32GB Crucial CT32G56C46S5 DDR5 PC5-5600 SODIMM CL46
Память емкость 32 ГБФорм-фактор SO-DIMMТип DDR5Тактовая частота 5600 МГцПропускная способность 44800 МБ/сCL 46Тайминги 46-45-45Напряжение 1,1 В
9100 ₽
Оперативная память 32GB Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 32 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
7200 ₽
Оперативная память 32GB Samsung M425R4GA3BB0-CWM0L DDR5 PC5-5600 SODIMM CL46
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM0Lемкость 32 ГБФорм-фактор SO-DIMMТип DDR5Тактовая частота 5600 МГцПропускная способность 44800 МБ/сCL 46Тайминги 46-45-45Напряжение 1,1 В
9400 ₽
Оперативная память 32GB Samsung M471A4G43AB1-CWE DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц Тайминги 22-22-22 Напряжение питания 1.2 В
7500 ₽
Оперативная память 32GB Samsung M471A4G43BB1-CWE DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль Samsung M471A4G43BB1-CWE 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с
8500 ₽
Оперативная память 32Gb Kingston KVR26S19D8/32 DDR4 2666 SODIMM
объем памяти: 32 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В
7200 ₽
Оперативная память 32Gb Kingston KVR48S40BD8-32 DDR5 4800 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston KVR48S40BD8-32Форм-фактор SODIMMКоличество модулей в комплекте 1 шт.Объем одного модуля 32 ГБТактовая частота 4800 МГцПропускная способность, Мб/с 32000CAS Latency (CL) 40Т
9800 ₽
Оперативная память 32Gb Samsung M425R4GA3BB0-CQKOD DDR5 4800 SODIMM
Тип DDR5Форм-фактор SODIMMКоличество модулей в комплекте 1 шт.Объем одного модуля 32 ГБТактовая частота 4800 МГцПропускная способность, Мб/с 32000CAS Latency (CL) 40Тайминги 40-40-40
10000 ₽
Оперативная память 4GB Samsung M378A5244CB0-CRC DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
800 ₽
Оперативная память 4GB Silicon Power SP004GBLTU160V02 DDR3 1600 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11 16 chip двухсторонняя
400 ₽
Оперативная память 4Gb Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 DDR3 1600 SODIMM CL11
1490 ₽
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BA1339 DDR3 1333 DIMM 16 chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9 Количество чипов каждого модуля 16
600 ₽
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BA160BJ DDR3 1600 DIMM 8chip
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.5 В
800 ₽
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BF160B DDR3 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Crucial CT51264BF160BJ DDR-3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
900 ₽
Оперативная память 4Gb Elixir M2F4G64CB8HG5N-CG DDR3 1333 DIMM
1 модуль памяти DDR3объем модуля 4 ГБформ-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 1333 МГцCAS Latency (CL): 916 чипов двухсторонняя
700 ₽
Оперативная память 4Gb Elixir M2S4G64CB8HG5N/CG DDR3 1333 SO-DIMM 16chip
Тип DDR3Объем одного модуля 4 ГБТактовая частота 1333 МГцФорм-фактор SODIMMПропускная способность PC10600Количество контактов 204
1500 ₽
Оперативная память 4Gb Geil GB38GB1600C9DC DDR3 1600 DIMM CL9
Тип DDR3Форм-фактор DIMMКоличество модулей в комплекте 1 шт.Объем одного модуля 4 ГБТактовая частота 1600 МГцПропускная способность PC12800CL 9Напряжение питания 1.5 В
900 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMA451S6AFR8N-TF DDR4 2133 SODIMM
1 модуль памяти DDR4объем модуля 4 Гбформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 2133 МГцCAS Latency (CL): 15
960 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
900 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6CJR6N-VK DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
1100 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851S6DJR6N-XN DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В
450 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMA851U6AFR6N-UH DDR4 2400MHz DIMM CL17
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17 напряжение питания: 1.2 В
700 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6BFR8C-H9 DDR3 1333 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц 16, двусторонняя упаковка
1250 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6CFR8A-PB DDR3L 1600 SODIMM
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.35 В кол-во чипов памяти 16
900 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6CFR8C-H9 DDR3 1333 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц 16 chip
1400 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6CFR8C-PB DDR3 1600 SODIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351S6EFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351U6CFR8C-H9 DDR3 1333 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц Количество чипов каждого модуля 16
600 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT351U6CFR8C-PB DDR3 1600 DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц 16 chip
700 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6AFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
800 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6MFR8A-PB DDR3L 1600 SODIMM CL11
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
800 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U6AFR8A-PB DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
600 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U6AFR8C-PB DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
400 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U6BFR8C-PB DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
600 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451U6MFR8C DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
700 ₽
Оперативная память 4Gb HyperX HX432C16FB3/4 DDR4 3200 DIMM
Тип памяти DDR4 DIMMСуммарный объем памяти всего комплекта 4 ГБОбъем одного модуля памяти 4 ГБКоличество модулей в комплекте 1Тактовая частота 3200 МГц
900 ₽
Оперативная память 4Gb HyperX Impact HX316LS9IB/4 DDR3 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 9
1100 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston ACR16D3LS1NGG/4G DDR3L 12800 SODIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston ACR21D4S15HAG/4 DDR4 2133 SODIMM CL15
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston ACR24D4S7S1MB-4 DDR4 2400 SODIMM CL17
1 модуль памяти DDR4объем модуля 4 ГБформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 2400 МГцCAS Latency (CL): 17
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston ACR512X64D3U139G DDR3 1333 DIMM
Оригинальный модуль Kingston ACR512X64D3U139G тип памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц Количество чипов каждого модуля 16
800 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston ASU16D3LS1KBG/4G DDR3L 1600 SODIMM
модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
900 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston HP698650-154-KEF/4 DDR3 1600 DIMM
700 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KCP3L16SS8/4 DDR3L 1600 SODIMM
модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1500 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KTH9600CS/4 DDR3 1600 DIMM
Оригинальный модуль Kingston KTH9600CS/4 тип памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
700 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KVR1333D3N9/4G DDR3 1333 DIMM 16 chip Low Profile
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
800 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KVR1333D3N9/4G DDR3 1333 DIMM OEM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
800 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KVR1333D3S9/4G DDR3 1333 SODIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9 16 chip, двусторонняя упаковка
1200 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16LN11/4 DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
450 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1600 DIMM OEM
1 модуль памяти DDR3объем модуля 4 Гбформ-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 1600 МГцCAS Latency (CL): 11
500 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16S11S8/4 DDR3 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
800 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston ValueRAM KCP316NS8/4 DDR3 1600 DIMM
700 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MT16KTF51264AZ-1G6M1 DDR3 1600 SODIMM
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800 16 чипов двухсторонняя
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MT16KTF51264HZ-1G6M1 DDR3L 1600 SODIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MT8JTF51264AZ-1G6E1 DDR3 1600 DIMM
900 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MT8KTF51264HZ-1G6E1 DDR3L 1600 SO-DIMM
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-2G3E2 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
1230 ₽
Оперативная память 4Gb Micron MTA4ATF51264HZ-3G2J1 DDR4 3200 SODIMM
тип: DDR4 объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 3200 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1
450 ₽
Оперативная память 4Gb Nanya NT4GC64B8HG0NF/CG DDR3 1333 DIMM 16chip
700 ₽
Оперативная память 4Gb RAMAXEL DDR3 1600 SODIMM RMT3170EB68F9W-1600
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Ramaxel RMSA3270ME86H9F DDR4 2666 SODIMM CL19 RMSA3270ME86H9F
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Ramaxel RMSA3310MJ86H9F-3200 DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В
1490 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173CB0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц
500 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173QH0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
600 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273CH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3объем модуля 4 ГБформ-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 1600 МГцCAS Latency (CL): 11Количество чипов каждого модуля 16
900 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273CH0-CK0 DDR3 1600 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГ 16 chip
750 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 9
800 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CK0 DDR3 1600 DIMM 16Chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
700 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5143DB0-CPB DDR4 2133 SODIMM
900 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5143SB1-CRC DDR4 2400 SO-DDR
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
1200 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471A5244CB0-CWE DDR4 3200MHz SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 11
550 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173QH0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
900 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273DH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц Количество чипов каждого модуля 16
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273DH0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16 chip
тип: DDR3L объем одного модуля: 4 ГБ тактовая частота: 1600 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1 чипов памяти 16 шт.
1700 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-CK0 DDR3 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1300 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273EB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM 16Chip
объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-35 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
1000 ₽
Оперативная память 4Gbx2 Kit Kingston KVR1333D3N9K2/8G DDR3 1333 DIMM
2 модуля памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1333 МГц CAS Latency (CL): 916 chip двусторонняя упаковка
1600 ₽
Оперативная память 4Gbx4 Kingston HyperX HX421S14IBK4/16 DDR4 2133 SODIMM CL13
объем памяти: 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ) тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2133 МГц тайминги: 14-14-14 напряжение питания: 1.2 В
4000 ₽
Оперативная память 8GB Crucial CT8G4SFS8266 DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1600 ₽
Оперативная память 8GB Crucial CT8G4SFS832A DDR4 3200 SODIMM
количество модулей в комплекте 1 шт.объем одного модуля 8 ГБтип DDR4 SODIMM 260-pinтактовая частота 3200 МГцнапряжение питания 1.2 Впропускная способность PC25600
2000 ₽
Оперативная память 8GB HYNIX HMA81GS6JJR8N-VK DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1900 ₽
Оперативная память 8GB Hynix HMA81GU6JJR8N-VK DDR4 2666 DIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В
2600 ₽
Оперативная память 8GB Hynix Original HMA81GU6AFR8N-UH DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
1700 ₽
Оперативная память 8GB HyperX Fury RGB HX424C15FB3A/8 DDR4 2400 DIMM CL15
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 15-15-15 напряжение питания: 1.2 В
3000 ₽
Оперативная память 8GB Kingston KVR16N11/8 DDR3 1600 DIMM OEM
Объем памяти 8 ГБТип DDR3 DIMM 240-pinТактовая частота 1600 МГцТайминги 11-11-11Напряжение питания 1.5 ВПропускная способность PC12800Особенности низкопрофильная (Low Profile)
1400 ₽
Оперативная память 8GB Kingston KVR26S19S6/8 DDR4 2666MHz SODIMM CL19
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-32 напряжение питания: 1.2 В
1500 ₽
Оперативная память 8GB Kingston KVR32S22S6/8 DDR4 3200MHz SODIMM CL22
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В
1700 ₽
Оперативная память 8GB Kingston ValueRAM KCP316ND8/8 DDR3 1600 DIMM
1800 ₽
Оперативная память 8GB Micron MTA16ATF1G64HZ-2G1B1 DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
2800 ₽
Оперативная память 8GB Micron MTA4ATF1G64HZ-3G2E1 DDR4 3200MHz SODIMM CL22
Оригинальный модуль памяти Micronобъем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В
3500 ₽
Оперативная память 8GB Samsung M378A1G43DB0-CPB DDR4 2133 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
2780 ₽
Оперативная память 8GB Samsung M378A1G43EB1-CPB DDR4 2133 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
2700 ₽
Оперативная память 8GB Samsung M378A1G43EB1-CRC DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
4420 ₽
Оперативная память 8GB Samsung M378A1G43TB1-CTD DDR4 2666MHz DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
2400 ₽
Оперативная память 8GB Samsung M378A1K43EB2-CWE DDR4 3200 DIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность памяти 25600 Мб/сек тайминги: 22 напряжение питания: 1.2 В
2200 ₽
Оперативная память 8GB Samsung M393A1G40EB1-CRC DDR4 2400MHz DIMM ECC REG
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17-38 напряжение питания: 1.2 В Особенности ECC, буферизованная (Registered)
1800 ₽
Оперативная память 8GB Transcend JM3200HSB-8G JetRam DDR4 3200 SODIMM
Объем памяти 8 ГБТип DDR4 SODIMM 260-pinТактовая частота 3200 МГцТайминги 22Напряжение питания 1.2 ВПропускная способность PC25600
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Corsair CMK8GX4M1A2666C16 DDR4 2666 DIMM (Black)
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц радиатор
2700 ₽
Оперативная память 8Gb Crucial Ballistix Elite BLE8G3D21BCE1 DDR3 2133 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 2133 МГц радиатор
3100 ₽
Оперативная память 8Gb Crucial CT8G4DFS8213 DDR4 2133 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Crucial CT8G4DFS824A DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
1750 ₽
Оперативная память 8Gb Crucial CT8G4SFD824A DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4объем модуля 8 Гбформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 2400 МГцCAS Latency (CL): 17
3820 ₽
Оперативная память 8Gb Crucial CT8G4SFRA266 DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Crucial Value CT8G4DFRA32A DDR4 3200 DIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
1600 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-UH DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
1800 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6AFR8N-VK DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3500 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6CJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1700 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6CJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 пропускная способность: PC25600
1900 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6DJR8N-XN DDR4 3200 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22
1900 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6MFR8N-UH DDR4 2400 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 пропускная способность: PC25600
1600 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMCG66MEBUA081N DDR5 4800 DIMM
Оригинальная оперативная память HYNIX HMCG66MEBUA081Nобъем одного модуля 8 ГБтип DDR5 DIMM 288-pinтактовая частота 4800 МГцтайминги 40-40-40напряжение питания 1.1 Впропускная способность PC38400
2100 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMT41GS6AFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
2500 ₽
Оперативная память 8Gb HyperX Impact HX421S13IB2/8 DDR4 2133 SO-DIMM
Тип DDR4Форм-фактор SODIMMКоличество модулей в комплекте1Объем одного модуля 8 ГБТактовая частота 2133 МГцПропускная способность PC17000CL 13Напряжение питания 1.2 ВКоличество контактов 260
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston ACR24D4U7S8MB-8 DDR4 2400 DIMM CL17
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17 напряжение питания: 1.2 В
2100 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston HP26D4S9S8MD-8 DDR4 2666 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Kingston HP26D4S9S8MD-8 объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В Пропускная способность PC21300 8 чипов дв
1600 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston HP26D4S9S8ME-8 DDR4 2666 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В
1300 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KCP424NS8/8 DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4объем модуля 8 Гбформ-фактор DIMM, 288-контактныйчастота 2400 МГц
3300 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KCP424SS8/8 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4объем модуля 8 Гбформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 2400 МГц
1990 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KCP426NS8/8 DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KKRVFX-MIE DDR4 3200 SO-DIMM
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KMKYF9 SODIMM PC4L-19200 2400MHz 8chip
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17 напряжение питания: 1.2 В
2200 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KTH-X3C/8G DDR3 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц
2770 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16LN11/8 DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16LN11/8 DDR3L 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 Гб форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1400 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16LR11S4/8 DDR3 1600 DIMM ECC registered
Бренд KINGSTONМодель KVR16LR11S4/8Тип DDR3LФорм-фактор DIMMКоличество контактов 240-pinОбъем 8192 МБЧастотная спецификация 1600Показатель скорости PC3-12800Код коррекции ошибок (ECC) поддерживается
900 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR16N11/8WP DDR3 1600 DIMM Low Profile
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.5 В
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR21S15S8/8 DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4объем модуля 8 Гбформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 2133 МГцCAS Latency (CL): 15
4000 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR24S17S8/8 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
1900 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26N19S6/8 DDR4 2666 DIMM CL19
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-32 напряжение питания: 1.2 В
1900 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26N19S8/8 DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1880 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR26S19S8/8 DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR32N22S8/8 DDR4 3200 DIMM CL22
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
1700 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KVR32S22S8/8 DDR4 3200 SODIMM
Объем памяти 8 ГБТип DDR4 SODIMM 260-pinТактовая частота 3200 МГцТайминги 22-22-22-32Напряжение питания 1.2 ВПропускная способность PC25600
1600 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston MSI24D4S7D8MB-8 DDR4 2400 SODIMM
2800 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MT16JTF1G64AZ-1G6E1 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA16ATF1G64HZ-2G1A2 DDR4 2133 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2133 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC17000
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64AZ-2G3H1 DDR4 2400 DIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 17-17-17 напряжение питания: 1.2 В
2100 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64AZ-2G6E1 DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ DDR4 2666 SODIMM
Тип памяти DDR4Тактовая частота (МГц) 2400 МГцФорм-фактор для ноутбуков (SO-DIMM)Пропускная способность 19200 Мб/сОбъем 1 модуль 8 ГбПроизводитель MicronКоличество модулей 1Напряжение питания 1.2 В
1900 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 DDR4 2400 SO-DIMM
Оригинальный модуль памяти Micronобъем памяти: 8 ГБтип: DDR4 SODIMM 260-pinтактовая частота: 2400 МГцпропускная способность: PC19200напряжение питания: 1.2 В8 чипов двусторонняя упаковка
1800 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G3E1 DDR4 2400 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 15
1800 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6D1 DDR4 2666 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В
2100 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 DDR4 2666 SODIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В
1600 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-2G6H1 DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1600 ₽
Оперативная память 8Gb Patriot PSD48G213381S DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
2000 ₽
Оперативная память 8Gb Ramaxel RMSA3260MD78HAF-2666 DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
3200 ₽
Оперативная память 8Gb Ramaxel RMSA3320MR78HAF-3200 DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль памяти 8Gb Ramaxel RMSA3320MR78HAF-3200 объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600
2500 ₽
Оперативная память 8Gb SAMSUNG M323R1GB4BB0-CQKOL DDR5 4800 DIMM
Оригинальная оперативная память SAMSUNG M323R1GB4BB0-CQKOLобъем одного модуля 8 ГБтип DDR5 DIMM 288-pinтактовая частота 4800 МГцтайминги 40-40-40напряжение питания 1.1 Впропускная способность PC38400
2500 ₽
Оперативная память 8Gb SAMSUNG M378A1K43BB2-CRC DDR4 2400 DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
3770 ₽
Оперативная память 8Gb SAMSUNG M378A1K43EB2-CVF DDR4 2933 DIMM
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2933 МГц тайминги: 21 напряжение питания: 1.2 В
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M378A1K43BB1-CPB DDR4 2133 DIMM
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M378A1K43CB2-CTD DDR4 2666 DIMM
1 модуль памяти DDR4объем модуля 8 ГБформ-фактор DIMM, 288-контактныйчастота 2666 МГцCAS Latency (CL): 17
2770 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M378B1G73QH0-CK0 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1500 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M425R1GB4BB0-CQK0L DDR5 4800 SODIMM
Тип DDR5Форм-фактор SODIMMКоличество модулей в комплекте 1 шт.Объем одного модуля 8 ГБТактовая частота 4800 МГцПропускная способность 38400 МБ/сCL 40Количество чипов каждого модуля 4Напряжение питания 1
900 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M425R1GB4PB0-CWM DDR5 5600 SODIMM
Оригинальный модуль памяти Samsung M425R1GB4PB0-CWM Емкость 8 ГБФорм-фактор SO-DIMMТип DDR5Тактовая частота 5600 МГцПропускная способность 44800 МБ/сCL 40Тайминги 46-46-46Напряжение 1,1 В
1200 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G43DB0-CPB DDR4 2133 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2133 МГц CAS Latency (CL): 15
2500 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G43EB1-CPB DDR4 2133 SODIMM
4850 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
объем памяти: 8 ГБтип: DDR4 SODIMM 260-pinтактовая частота: 3200 МГцнапряжение питания: 1.2 Впропускная способность: PC25600
1700 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44BB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
тип: DDR4 объем одного модуля: 8 ГБ тактовая частота: 3200 МГц Форм-фактор: SODIMM количество модулей в комплекте: 1
1600 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1G44CB0-CWE DDR4 3200 SODIMM
Оригинальный модуль Samsung M471A1G44CB0-CWEтип: DDR4объем одного модуля: 8 ГБтактовая частота: 3200 МГцПропускная способность 25600 Мб/сФорм-фактор: SODIMM
1600 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43BB0-CPB DDR4 2133 SO-DDR
1 модуль памяти DDR4объем модуля 8 Гбформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 2133 МГцCAS Latency (CL): 15
2800 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43BB1-CRC DDR4 2400 SODIMM
оригинальный модуль Samsung M471A1K43BB1-CRC1 модуль памяти DDR4объем модуля 8 Гбформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 2400 МГцCAS Latency (CL): 17
2000 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CRC DDR4 2400 SO-DIMM Оригинал
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
2100 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43CB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1850 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CTD DDR4 2666 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
1300 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43DB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4объем модуля 8 Гбформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 3200 МГцCAS Latency (CL): 22
1900 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471A1K43EB1-CWE DDR4 3200 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR4объем модуля 8 ГБформ-фактор SODIMM, 260-контактныйчастота 3200 МГц
1800 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73BH0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
1400 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73EB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
2200 ₽
Оперативная память 8Gb Transcend JM2666HSB-8G DDR4 2666 МГц SODIMM CL19
Объем памяти 8 ГБТип DDR4 SODIMM 260-pinТактовая частота 2666 МГцТайминги 19Напряжение питания 1.2 ВПропускная способность PC21300
1700 ₽
Оперативная память 8Gbx2 GIGABYTE GP-ARS16G33 AORUS RGB DDR4 3333 DIMM CL18
Золотая подложка текстолита, элитная памятьКоличество модулей в комплекте 2 шт. Объем одного модуля 8 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 3333 МГц Тайминги 18-20-20-40 Напряжение питания 1.35 В Пропускн
5000 ₽
Оперативная память 8Gbx2 Kingston FURY Beast KF432C16BBK2/16 DDR4 3200 DIMM
Количество модулей в комплекте: 2 шт.Объем одного модуля: 8 ГБТип: DDR4 DIMM 288-pinТактовая частота: 3200 МГцТайминги: 16-18-18-32
4850 ₽
Оперативная память 8Gbx2 Kingston HyperX Fury HX313C9FBK2/16 DDR3 1333 DIMM CL9
объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9-36 напряжение питания: 1.5 В
4000 ₽
Оперативная память 8Gbx4 KIT Corsair Vengeance LED CMU32GX4M4A2666C16 DDR4 2666 DIMM
4 модуля памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц радиатор
15000 ₽
Оперативная память 8Gbx4 KIT HyperX HX424C15FB3AK4/32 Fury RGB DDR4 2400 DIMM
4 модуля памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц радиатор
9900 ₽
Оперативная память 8Gbx4 KIT HyperX HX424S15IB2K4/32 DDR4 2400 SODIMM
4 модуля памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 15
6800 ₽
Оперативная память Kingston HyperX HX318LS11IB/8 DDR3L 1866 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1866 МГц CAS Latency (CL): 11
3200 ₽
Твердотельные накопители (SSD - solid-state drive)
360GB INTEL SSDPEKKF360G7H SSD DC 6000p M.2 80mm PCIe
форм-фактор: 2280 емкость: 360 ГБ интерфейсы: PCI-E разъем: M.2 тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4
3550 ₽
SSD 2TB Corsair MP600 PRO LPX CSSD-F2000GBMP600PLPW M.2 NVMe PCIe x4 Gen4
форм-фактор: 2280 емкость: 2000 Gb Назначение для настольного компьютера, игровой скорость чтения/записи: 7100 Mb/с / 6800 Mb/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 полная совместимость с PlayStation 5 радиатор
17500 ₽
SSD Corsair MP600 PRO 2TB CSSD-F2000GBMP600PRO
форм-фактор: 2280емкость: 2000 ГБскорость чтения/записи: 7000 МБ/с / 6550 МБ/синтерфейсы: PCI-Eразъем: M.2совместим для установки в SONY PS5
18200 ₽
SSD накопитель 512ГБ Micron 2400 MTFDKCD512QFM PCI-E 2242
Оригинальный накопитель фирмы Micron 2400 MTFDKCD512QFMЕмкость накопителя 512 ГбПоддержка NVMe ЕстьИнтерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4Скорость чтения до 4200 МБ/секСкорость записи До 1800 МБ/секФормат накопителя M.2 Ty
4500 ₽
Внешний SSD 1Tb Samsung T7 Shield синий MU-PE1T0R/WW
11400 ₽
Внешний SSD 256Gb из алюминиевого сплава с защитой от записи
Внешний SSD M.2 NVMe 2230 JMS583 из алюминиевого сплава с защитой от записиЕмкость 256GbМатериал корпуса: алюминиевый сплавСкорость чтения и записи: 1000 МБ/сРазмер продукта: длина 9,4 см/ширина 4 см/высота 1,07 смКнопка
4500 ₽
Внешний SSD 2TB Samsung T9 MU-PG2T0B/WW
Исключительно быстрая передачаУниверсальная совместимостьПревосходная надежностьЕмкость 2 ТБСкорость чтения/записи до 2000 МБ/сФорм-фактор 1.8"Тип флэш-памяти 3D NANDПодключение к компьютеру USB 3.2 Gen 2x2 (
24000 ₽
Внешний SSD 2Tb Samsung T7 Shield бежевый MU-PE2T0K/WW
19800 ₽
Внешний SSD 2Tb Samsung T7 Shield синий MU-PE2T0R/WW
19500 ₽
Внешний SSD 4TB Samsung T7 Shield черный MU-PE4T0S/WW
Вид портативныйЕмкость 4 ТБФорм-фактор 1.8"Тип флэш-памяти 3D V-NANDПодключени к компьютеру USB 3.2 Gen 2 Type-CМатериал корпуса резинаЗащита от влаги, от пыли, от ударов
34000 ₽
Внешний SSD 4TB Transcend ESD380С USB 3.2 Gen 2x2
Исключительно быстрая передачаУниверсальная совместимостьПревосходная надежностьЕмкость 4 ТБСкорость чтения/записи до 2000 МБ/сФорм-фактор 1.8"Тип флэш-памяти 3D NANDПодключение к компьютеру USB 3.2 Gen 2x2 (
33500 ₽
Внешний SSD 512Gb из алюминиевого сплава с защитой от записи
Внешний SSD M.2 NVMe 2230 JMS583 из алюминиевого сплава с защитой от записиЕмкость 512GbМатериал корпуса: алюминиевый сплавСкорость чтения и записи: 1000 МБ/сРазмер продукта: длина 9,4 см/ширина 4 см/высота 1,07 смКнопка
6500 ₽
Твердотельный накопитель 128GB Plextor PX-128M8VG M.2
Форм-фактор 2280Емкость 128 ГБСкорость чтения/записи 560 МБ/с / 400 МБ/сИнтерфейсы SATA 6Gb/sОбъем буфера 256 МБТип флэш-памяти TLC 3D NANDКонтроллер Silicon Motion SM2258Время наработки на отказ 1500000 ч
1400 ₽
Твердотельный накопитель 1Tb Intel SSDPE2KX010T701 U2
емкость 1000 ГБ для сервера форм-фактор: 2.5" интерфейс PCI-E U2
14000 ₽
Твердотельный накопитель 1Tb M.2 2280 M Patriot Memory Viper VPN100-1TBM28H 3D TLC
емкость 1024 ГБ для настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.2 игровой
8800 ₽
Твердотельный накопитель 1Tb SATA Plextor PX-1TM6Pro 2.5" MLC+3.5" адаптер
SSD диск для ноутбука и настольного компьютера объем 1024 ГБ форм-фактор 2.5" интерфейс SATA 6Gbit/s
15000 ₽
Твердотельный накопитель 1Tb Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW M.2 2280
емкость 1000 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.2
8700 ₽
Твердотельный накопитель 1Tb Samsung 980 MZ-V8V1T0BW
форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x
8000 ₽
Твердотельный накопитель 1Tb Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW M.2 PCI-E Gen4 x4
форм-фактор: 2280 емкость: 1000 Gb скорость чтения/записи: 7450 Mb/с / 6900 Mb/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 2048 Gb Ресурс SSD 600 TBW
11800 ₽
Твердотельный накопитель 250Gb WD Black SN750 SE WDS250G1B0E M.2 2280 PCI-e
Тип внутреннийОбъем 250 ГБФорм-фактор M.2 NVMeИнтерфейс M.2 PCI-E 4.0 4xКонтроллер Phison E19TТип памяти 3D TLC NANDВнешняя скорость записи 1000 МБ/сВнешняя скорость считывания 3200 МБ/с
3770 ₽
Твердотельный накопитель 250Gb WD Blue SN570 WDS250G3B0C TLC
емкость: 250 ГБ, форм-фактор: 2280,назначение: для ноутбука и настольного компьютера,интерфейсы: PCI-E,линейка: WD Blue,скорость чтения: 3300 МБ/с,скорость записи: 1200 МБ/с,тип флэш-памяти: TLC,время н
3200 ₽
Твердотельный накопитель 256GB Hynix L11055-001 PCI-E 3.0 x4 2280
форм-фактор: 2280 емкость: 256 ГБ интерфейсы: PCI-E 3.0 x4 разъем: M.2
1800 ₽
Твердотельный накопитель 256Gb GIGABYTE GP-ASM2NE2256GTTDR RGB
емкость 256 ГБ для настольного компьютера форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.2
4200 ₽
Твердотельный накопитель 256Gb Lite-On CA5-8D256 2280 M.2
тип памяти: 3D TLC NAND flash тип: M.2 2280 интерфейс: PCIe® NVMe™ Gen3 x4 скорость чтения 3,300 MB/s скорость записи 2,100 MB/s емкость : 256GB
1930 ₽
Твердотельный накопитель 256ГБ Micron 2450 MTFDKBA256TFK-1BC15ABYY PCIe Gen4
Оригинальный SSD Micron 2450 MTFDKBA256TFK-1BC15ABYYобъем накопителя 256Gbформ-фактор: 2280, Mскорость чтения/записи: 4200 МБ/с / 1800 МБ/синтерфейс подключения: M.2, PCIe Gen4, NVMe 1.4
1700 ₽
Твердотельный накопитель 2TB Samsung 980 PRO MZ-V8P2T0BW
Оригинальный SSD 2TB Samsung 980 PRO MZ-V8P2T0BW форм-фактор: 2280 емкость: 2000 Gb скорость чтения/записи: 7000 Mb/с / 5000 Mb/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 2048 Gb
17500 ₽
Твердотельный накопитель 2Tb Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S2T0BW M.2
Оригинальный SSD Samsung 970 evo plus 2tb емкость 2000 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.2
17500 ₽
Твердотельный накопитель 360GB SSDPEKKA360G701 INTEL P3100 M.2
SSD диск для сервера объем 360 ГБ форм-фактор 2280 разъем M.2 интерфейс PCI-E 3.0 x4
4930 ₽
Твердотельный накопитель 480Gb WD Green WDS480G3G0A 2.5" 3D TLC
емкость 480 ГБдля ноутбука и настольного компьютераФорм-фактор: 2.5"Максимальная скорость чтения 545 МБ/синтерфейс SATA 6Gb/sигровой
3400 ₽
Твердотельный накопитель 4TB Samsung T9 MU-PG4T0B/WW External SSD
39900 ₽
Твердотельный накопитель 4Tb Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW M.2 PCI-E Gen4 x4
форм-фактор: 2280 емкость: 4000 Gb скорость чтения/записи: 7450 Mb/с / 6900 Mb/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 2048 Gb Ресурс SSD 2400 TBW
34000 ₽
Твердотельный накопитель 500GB Samsung 870 EVO MZ-77E500BW
форм-фактор: 2.5" емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s объем буфера: 512 МБ
5500 ₽
Твердотельный накопитель 500GB Samsung 980 PRO MZ-V8P500BW PCI-E 4.0 x4
форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 6900 МБ/с / 5000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 512 МБ
6600 ₽
Твердотельный накопитель 500GB Western Digital WD Black PCIe WDS500G3XHC sn750
емкость 500 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.2 радиатор
5990 ₽
Твердотельный накопитель 500Gb Kingston NV1 SNVS/500G
4000 ₽
Твердотельный накопитель 500Gb Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S500BW M.2 2280
емкость 500 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.2
5500 ₽
Твердотельный накопитель 512Gb Samsung PM9C1a 2242 PCI-E
Оригинальный накопитель фирмы Samsung PM9C1aЕмкость накопителя 512 ГбПоддержка NVMeИнтерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4, совместим Gen3 x4Скорость чтения до 6000 МБ/секСкорость записи до 5600 МБ/секФормат накопителя M.2
5500 ₽
Твердотельный накопитель 512Gb Western Digital SN740 SDDQNQD-512G-1004 OEM
Оригинальный накопитель фирмы Western Digital PC SN740 Емкость накопителя 512 ГбПоддержка NVMe ЕстьИнтерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4, совместим Gen3 x4Скорость чтения до 3550 МБ/секСкорость записи До 4200 МБ/секФорма
3800 ₽
Твердотельный накопитель 512ГБ Micron 2400 MTFDKBA512QFM M.2 PCI-E Gen4 x4
Оригинальный накопитель фирмы Micron 2400 MTFDKBA512QFM Емкость накопителя 512 Гб Поддержка NVMe Есть Интерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4 Скорость чтения до 4200 МБ/сек Скорость записи До 1800 МБ/сек Формат накопителя
3300 ₽
Твердотельный накопитель 512ГБ Micron 2450 MTFDKBA512TFK-1BC15ABLA PCIe Gen4
Емкость: 512 ГБФорм-фактор: M.2 2280Назначение: для ноутбука и настольного компьютераРазъем: M.2Интерфейсы: PCI-E 4.0x4Скорость чтения: 6600 МБ/сСкорость записи: 3600 МБ/сТип флэш-памяти: TLCВремя нараб
4500 ₽
Твердотельный накопитель 960Gb SATA Kingston A400 SA400S37/960G 2.5"
емкость 960 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2.5" интерфейс SATA 6Gb/s игровой
5700 ₽
Твердотельный накопитель Transcend 256 GB TS256GMTE110S PCI-E
емкость 256 ГБ для ноутбука и настольного компьютера форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.2
2000 ₽
M.2 на шине PCI-E
SDD 256GB HP 844855-001 M.2 PCIE G3X4 NVME
емкость 256 ГБ для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор: 2280 интерфейс PCI-E разъем M.2
2000 ₽
SSD 256Gb Samsung PM9B1 MZ-AL42560 2242 PCI-E
Оригинальный накопитель фирмы SamsungЕмкость накопителя 256 ГбПоддержка NVMe ЕстьИнтерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4, совместим Gen3 x4Скорость чтения до 3300 МБ/секСкорость записи До 1250 МБ/секФормат накопителя M.2 T
2500 ₽
SSD 256Gb Western Digital SN740 SDDQNQD-256G-1014 PCI-E 2280
Оригинальный накопитель фирмы Western Digital PC SN740Емкость накопителя 256 ГбПоддержка NVMe ЕстьИнтерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4, совместим Gen3 x4Скорость чтения до 3700 МБ/секСкорость записи До 2000 МБ/секФормат
1700 ₽
Твердотельный накопитель 1000ГБ WD Black SN770 WDS100T3X0E SSD M.2
Тип SSD M.2 накопительМодель WD Black SN770Код производителя WDS100T3X0EОбъем накопителя 1000 ГБФорм-фактор 2280Физический интерфейс PCI-E 4.0 x4Структура памяти 3D NAND TLCМаксимальная скорость последователь
9750 ₽
Твердотельный накопитель 1TB Samsung 980 PRO MZ-V8P1T0BW
форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 7000 МБ/с / 5000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 1024 МБ
11000 ₽
Твердотельный накопитель 256GB SK Hynix HFM256GD3HX015N BC711 NVMe 2242
Производитель HynixЕмкость диска 256GBИнтерфейс M.2 PCIeВысота продукта 42Формат диска M.2Используемые технологии NVMeМодель HFM256GD3HTNG-8310Aсерия BC711
1700 ₽
Твердотельный накопитель 256Gb Samsung PM991a MZ9LQ256HBJD 2230 PCI-E
Емкость 256 ГБСкорость чтения/записи 2200 МБ/с / 1750 МБ/сИнтерфейсы PCI-EРазъем M.2Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4Рекомендован для настольного компьютера и ноутбукаШхВ 42х22 мм
2200 ₽
Твердотельный накопитель 256Gb Samsung PM991a MZALQ256HBJD 2242 PCI-E
Емкость 256 ГБСкорость чтения/записи 2200 МБ/с / 1750 МБ/сИнтерфейсы PCI-EРазъем M.2Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4Рекомендован для настольного компьютера и ноутбукаШхВ 42х22 мм
2000 ₽
Твердотельный накопитель 256Gb TOSHIBA/KIOXA KBG40ZNV256G M.2 2280
Форм-фактор 2280, MЕмкость 256 ГБСкорость чтения/записи 3050 МБ/с / 1550 МБ/сИнтерфейсы PCI-EРазъем M.2Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4Тип флэш-памяти TLC 3D NANDРекомендован для ноутбука и настольного компьютера
1950 ₽
Твердотельный накопитель 4Tb Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW M.2 PCI-E Gen4 x4 с радиатором
форм-фактор: 2280 емкость: 4000 Gb скорость чтения/записи: 7450 Mb/с / 6900 Mb/с интерфейс подключения: PCI-E 4.0 x4 объем буфера: 2048 Gb Ресурс SSD 2400 TBW радиатор в комплекте
34800 ₽
Твердотельный накопитель 500Gb WD Black SN850 WDS500G1XHE M.2 PCIe 2280
Интерфейс подключения NVMe PCIe 4.0 x4Контроллер SanDisk 20-82-10034-A1DRAM-кэш 512 MB Nanya NT5AD256M16D4-HRЧипы памяти 3D TLC SanDisk 000086 256G 1072YXCDL058Скорость чтения 7000 МБ/секСкорость записи 4100 МБ/сек
7500 ₽
Твердотельный накопитель 500Gb Western Digital WD Black SN770 WDS500G3X0E
Форм-фактор 2280Емкость 500 ГБСкорость чтения/записи 5000 МБ/с / 4000 МБ/сИнтерфейсы PCI-EРазъем M.2Тип PCI-E PCI-E 4.0 x4Рекомендован для ноутбука и настольного компьютераШхДхВ 22х80х2.38 мм, вес: 6 г
5500 ₽
Твердотельный накопитель 512Gb KIOXIA KBG50ZNS512G 2230 M.2 PCI-e
форм-фактор: 2230 емкость: 512 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 2700 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCIe® Gen4 x4 тип флэш-памяти: TLC 3D NAND
5500 ₽
Твердотельный накопитель 512Gb Samsung PM9B1 MZ-VL45120 2280 PCI-E
OEM Вариант Samsung 980Емкость накопителя 512 ГбПоддержка NVMe ЕстьИнтерфейс SSD M.2 PCI-E Gen4 x4Cкорость чтения до 3500 МБ/секСкорость записи До 2500 МБ/секФормат накопителя M.2 Type 2280 M Key
4200 ₽
Жесткие диски, винчестеры (HDD - hard disk drive)
Внешний диск 4Tb Transcend StoreJet 25M3 TS4TSJ25M3S USB3.1
Оригинальный диск 4Tb Transcend TS4TSJ25M3S внешний жесткий диск объем 4000 ГБ Буферная память 128 МБ Скорость вращения шпинделя 5400 форм-фактор: 2.5" интерфейс USB 3.1 вес 294 г используется трехкомпо
12000 ₽
Жесткий диск 10 Tb Seagate Exos 7E10 ST10000NM017B
Серия продукции: ExosТип: HDDПоддержка секторов 4кБ (Advanced Format): ДаФорм-фактор: 3,5"Номинальный объем, ГБ: 10000Объем после форматирования, ГБ: 9314Объем буфера, МБ: 256Максимальная скорость вращения, О
17000 ₽
Жесткий диск 10Tb SATA Toshiba MG06ACA10TE 3.5" 7200rpm 256Mb
для сервера объем 10000 ГБ форм-фактор 3.5" интерфейс SATA 6Gbit/s скорость вращения 7200 rpm
17000 ₽
Жесткий диск 1TB Western Digital WD Blue Mobile WD10SPZX
жесткий диск для ноутбука объем 1000 Гб форм-фактор 2.5" интерфейс SATA 6Gb/s
3800 ₽
Жесткий диск 1Tb HP 614829-003 P/N 2BKAL013X4Q5RZ SATA ST91000640NS 2,5" HDD
Назначение для сервераЕмкость 8 ТБФорм-фактор 3.5"Особенности NCQ, поддержка секторов 4 КБОбъем буфера 128 МБСкорость записи/чтения 150/150 МБ/cВремя наработки на отказ 800000 чПотребляемая мощность 7.5 Вт
7000 ₽
Жесткий диск 300Gb SAS Seagate Enterprise Performance 10K ST300MM0048 2.5" 10000rpm 128Mb
жесткий диск для сервера объем 300 ГБ форм-фактор 2.5" интерфейс SAS
6300 ₽
Жесткий диск 3Tb IBM Near Line 00FN128
MG04ACA400E +Исполнение внутренний Тип накопителя HDD Назначение для сервера Объем 3000 ГБ Форм-фактор 3.5 " Интерфейсы подключения SATA SATA 2 SATA 3 Частота вращения шпинделя 7200 об/мин
7770 ₽
Жесткий диск 4Tb SATA Seagate SkyHawk ST4000VX007 3.5"
для систем видеонаблюдения объем 4000 Гб форм-фактор 3.5" интерфейс SATA 6Gb/s
11010 ₽
Жесткий диск 6Tb SATA Seagate SkyHawk ST6000VX001 3.5" 256Mb
для систем видеонаблюдения объем 6000 ГБ форм-фактор 3.5" интерфейс SATA 6Gb/s
12200 ₽
Жесткий диск 6Tb Seagate Exos 7E8 ST6000NM0235 3.5" 7200rpm 256Mb (MB6000GVYYU 846508-001)
Тип HDDНазначение для сервераФорм-фактор 3.5"Интерфейсы SATA 6Gb/sМакс. скорость интерфейса 600 МБ/сЕмкость 6 ТБОбъем буфера 256 МБСкорость вращения 7200 об/минСреднее время задержки (Latency) 4.16 мс
10500 ₽
Жесткий диск 6ТБ Toshiba X300 HDWR460UZSVA 3.5
Тип HDDНазначение для настольного компьютераФорм-фактор 3.5"Емкость 6 ТБОбъем буфера 256 МБСкорость вращения 7200 об/минУровень шума простоя 31 дБВес 700 г
12500 ₽
Жесткий диск IBM 9FK066-039 300Gb SAS 2,5" HDD
5990 ₽
Жесткий диск IBM 9FU066-050 147Gb SAS 2,5" HDD
9FU066-050. Интерфейс диска SAS на этом устройстве отлично подходит для подключения серверной материнской платы с жесткими дисками. Емкость 147 ГБ (гигабайт), скорость вращения шпинделя 15000 об / мин. Размер кэша составляет 16 МБ (мегабайт). Форм-фа
3400 ₽
Переходник жесткого диска с 2.5 на 3.5 HDD/SSD
Салазки-переходник это кронштейн, предназначенный для установки жёсткого диска 2.5 дюйма в отсек для жёсткого диска 3.5 дюйма в корпусе ПК, изготовлен из пластика.
350 ₽
Переходники
Display Port to Display Port, 1.8m (012DD-HTN1)
1060 ₽
Адаптер HP Pavilion USB-C to HDMI (2PC54AA)
Адаптер HP USB-C — HDMI позволяет транслировать аудио и видео с ноутбука или планшета на внешний монитор, телевизор или проектор.
2470 ₽
Кабель 05vx0-aa10-99s DisplayPort (m) miniDisplayPort (m) 1.8м черный
1060 ₽
Кабель Display Port DP — DP 1 м
1060 ₽
Кабель VGA Buro CAB016S-06 VGA (m) - VGA (m) ферритовый фильтр 1.8м серый
Бренд BUROМодель CAB016S-06Тип VGAФункциональный тип КабельДлина товара 1.8 мРазъем 1 VGA (m)Разъём 2 VGA (m)Ферритовые фильтры ДаЦвет серый
100 ₽
Переходник для жесткого диска Sintech Electronic UltraSlim HDD WD5000MPCK, SFF-8784 to SATA 22 Pin PA-WD2SA
Переходник для подключения жесткого диска с разъемом SFF-8784 на SATA 22 pin
1820 ₽
Переходник для установки SSD M.2 2242 в крепление 2280
Адаптер для установки SSD M.2 размером 2242 в слот M.2 размером 2280.
500 ₽
Переходник жесткого диска Sintech Electronic M.2 (NGFF) SSD as ASUS SSD of UX31, UX21, ADATA XM11 (ST5112B)
1690 ₽
Переходник жесткого диска Sintech Electronic M.2 (NGFF) SSD as SSD 26 Pin of 2012 MacBook AIR (ST-M2AIR2012)
1500 ₽
Переходник жесткого диска mSATA SSD as SSD 26 Pin of 2012 MacBook PRO Retina
960 ₽
Переходник жесткого диска mini PCI-E mSATA SSD (Half size) to SATA 22 Pin
960 ₽
Переходник жесткого диска mini PCI-E mSATA SSD to M.2 (NGFF)
960 ₽
Переходник питания Sintech Electronic SATA 15Pin (Папа) на 2 x SATA 15Pin (Мама)
310 ₽
DDR 4
8Gb Patriot PSD48G213381H DDR4 DIMM CL15
PSD48G213381H
2500 ₽
Оперативная память 16Gbx4 CORSAIR Vengeance CMK64GX4M4D3000C16 DDR4 3000 DIMM
Объем памяти 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ)Тип DDR4 DIMM 288-pinТактовая частота 3000 МГцТайминги 16-20-20-38Пропускная способность PC24000Особенности радиаторнапряжение питания: 1.35 В
15500 ₽
Оперативная память 8GB ADATA AO1P24HC8T1-BQXS DDR4 2400MHz SODIMM CL17
оригинальный модуль ADATA AO1P24HC8T1 1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 Гб форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
1500 ₽
Оперативная память 8GB Crucial CT8G4SFD8213.M16FB DDR4 2133 SODIMM 16chip
Объем одного модуля 8 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 2133 МГц Тайминги 15 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC17000 Количество рангов 2 Количество чипов памяти 16
3500 ₽
Оперативная память 8GB Crucial CT8G4SFRA32A DDR4 3200 SODIMM
Объем одного модуля 8 ГБТип DDR4 SODIMM 260-pinТактовая частота 3200 МГцТайминги 22-22-22-46Напряжение питания 1.2 ВПропускная способность PC25600
2470 ₽
Оперативная память 8Gb Hynix HMA81GS6DJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19
2100 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston FURY Impact KF426S15IB/8 DDR4 2666 SO-DIMM
Объем памяти 8 ГБТип DDR4 SODIMM 260-pinТактовая частота 2666 МГцТайминги 15-17-17Напряжение питания 1.2 ВПропускная способность PC21300Особенности радиатор
3340 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston HP24D4S7S8MBP-8 DDR4 2400 SODIMM
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 2400 МГц CAS Latency (CL): 17
2000 ₽
Оперативная память 8Gb Kingston KF432C16BBA/8 FURY Beast RGB DDR4 3200 DIMM CL16
количество модулей в комплекте 1 шт.объем одного модуля 8 ГБтип DDR4 DIMM 288-pinтактовая частота 3200 МГцтайминги 16-18-18напряжение питания 1.35 Впропускная способность PC25600особенности радиатор, XMP, RGB
3000 ₽
Оперативная память 8Gb Micron MTA8ATF1G64HZ-3G2R1ZI DDR4 3200 SODIMM ECC
объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22 напряжение питания: 1.2 В поддержка ЕСС
2500 ₽
Оперативная память 8Gbx2 Kingston KF432C16BBAK2/16 FURY Beast RGB DDR4 3200 DIMM CL16
количество модулей в комплекте 2 шт.объем одного модуля 8 ГБтип DDR4 DIMM 288-pinтактовая частота 3200 МГцтайминги 16-18-18напряжение питания 1.35 Впропускная способность PC25600особенности радиатор, XMP, RGB
5500 ₽
Внешние аккумуляторы Romoss
Romoss Polymos 5, 5000 мАч , розовый
POLYMOS 5Емкость 5000 мА⋅ч Есть возможность одновременной зарядки двух устройствВходной разъем micro USB напряжением 5 В и током 2.1 А На выход два разъема USB с максимальным током 2.1А USB1 1А и USB2 2.1А Тип бата
500 ₽
Romoss Polymos 5, 5000 мАч, белый
polymos 55000мАчПолимерный аккумуляторБолее безопасныйБолее долговечныйБолее тонкийБолее высокий коэффициент преобразования энергииИнновационная бесшовная конструкция
500 ₽
Romoss Polymos 5, 5000 мАч, голубой
POLYMOS 5Емкость 5000 мА⋅ч Есть возможность одновременной зарядки двух устройствВходной разъем micro USB напряжением 5 В и током 2.1 А На выход два разъема USB с максимальным током 2.1А USB1 1А и USB2 2.1А Тип бата
500 ₽
Romoss Sailing-1, 2600 мАч, белый
sailing 12600мАч в корпусе размером с 1/4 iPhoneПрекрасно подходит для зарядки мобильных телефонов, МР3- и МР4-плееров и т.п.Ячейки Samsung, увеличенный срок эксплуатацииОдновременная зарядка и разрядкаLED-фонарик
310 ₽
Romoss Sailing-3, 7800 мАч, белый
sailing 3Прекрасно подходит для зарядки мобильных телефонов, МР3- и МР4-плееров и т.п.Высокая емкость – до 7800мАчЯчейки Samsung, увеличенный срок эксплуатацииПотрясающая параллельная зарядкаДва выхода позволяют од
700 ₽
Romoss Solo-1, 2000 мАч, белый
solo 1Корпус размером с 1/4 iPhoneПрекрасно подходит для зарядки мобильных телефонов, МР3- и МР4-плееров и т.п.Одновременная зарядка и разрядкаLED-фонарик
330 ₽
Romoss Solo-2, 4000 мАч, белый
solo 2Корпус размером с 1/2 iPhoneПрекрасно подходит для зарядки мобильных телефонов, МР3- и МР4-плееров и т.п.Одновременная зарядка и разрядкаБыстрая зарядка устройства и аккумулятораLED-фонарик
350 ₽
Автомобильное зарядное устройство Romoss USB ranger 17
ranger 17 Заряжайте в автомобиле абсолютно по-новомуПрекрасно заряжает мобильные телефоны, планшеты и т.д.Размер меньше, чем когда-либоИнтеллектуальная многоуровневая защита обеспечивает безопасность
530 ₽
Автомобильный универсальный блок питания Romoss eUSB ranger90 90W
2000 ₽
Внешний аккумулятор Romoss Ares 20 черный, 20000 мАч
цвет товара: черный емкость 20000 мА·ч макс. выходной ток 2.1 А особенности: зарядка двух устройств, индикатор заряда вес 430 г
1200 ₽
Для ноутбуков (SODIMM)
Оперативная память 16Gb Hynix HMA82GS6DJR8N-VK DDR4 2666 SODIMM
объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В
3400 ₽
Оперативная память 2Gb Hynix HYMP125S64CP8-Y5 DDR2 667 SODIMM
700 ₽
Оперативная память 2Gb Nanya DDR2 800 SODIMM
объем памяти: 2 ГБ тип: DDR2 SODIMM 200-pin тактовая частота: 800 МГц напряжение питания: 1.8 В пропускная способность: PC6400
1100 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6AFR8C-PB DDR3 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6BFR8A-PB DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
800 ₽
Оперативная память 4Gb Hynix HMT451S6MFR8C-PB DDR3 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц
800 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston HP16D3LS1KFG/4G DDR3L 1600 SODIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
900 ₽
Оперативная память 4Gb RAMAXEL DDR3 1600 SODIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3объем модуля 4 ГБформ-фактор SODIMM, 204-контактныйчастота 1333 МГц16 chip
1500 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273CH0-CK0 DDR3 1600 SO-DIMM 16chip
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11 Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
1300 ₽
Оперативная память 8Gb Samsung M471B1G73DB0-YK0 DDR3L 1600 SO-DIMM
1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
2000 ₽
Процессоры (CPU)
Intel Core i3-550 3.2 GHz 2core SVGA HD Graphics 0.5+ 4Mb 73W 2.5 GT s LGA1156
Наименование: Core i3-550Ядро: ClarkdaleКоличество ядер: 2Техпроцесс, нм: 32 high-kРазъем: LGA 1156Частота, МГц: 3200Множитель: 24FSB/HT/QPI: 2.5 GT/sкэш L1, КБ: 32+32 x2кэш L2, КБ: 256x2кэш
700 ₽
Процессор AMD Ryzen 5 5600G
сокет: AM4количество ядер: 6 x 3900-4400 МГцобъем кэша L2/L3: 3 МБ/16 МБоперативная память: 2 x DDR4 3200 МГцтепловыделение: 65 Втинтегрированная графика: Radeon Graphics 3200 МГцтехпроцесс: 7 нмколичество по
12000 ₽
Процессор AMD Ryzen 7 3800XT BOX (BOX)
сокет: AM4 8-ядерный процессор, 3900 МГц техпроцесс 7 нм тепловыделение 105 Вт объем кэша L2/L3: 4 МБ/32 МБ
15000 ₽
Процессор AMD Ryzen 7 3800XT BOX (OEM)
сокет: AM4 8-ядерный процессор, 3900 МГц техпроцесс 7 нм тепловыделение 105 Вт объем кэша L2/L3: 4 МБ/32 МБ
15000 ₽
Процессор Intel Core i3-6100T 3200MHz LGA1151
2-ядерный процессор, Socket LGA1151 частота 3200 МГц объем кэша L2/L3: 512 КБ/3072 КБ ядро Skylake (2015) техпроцесс 14 нм интегрированное графическое ядро встроенный контроллер памяти
3000 ₽
Процессор Intel Core i3-7100 3900MHz LGA1151 (OEM)
2-ядерный процессор, Socket LGA1151частота 3900 МГцобъем кэша L2/L3: 512 Кб/3072 Кбядро Kaby Lakeтехпроцесс 14 нминтегрированное графическое ядровстроенный контроллер памяти
2500 ₽
Процессор Intel Core i5-2500 3300MHz LGA1155
4-ядерный процессор, Socket LGA1155 частота 3300 МГц объем кэша L2/L3: 1024 Кб/6144 Кб ядро Sandy Bridge (2011) техпроцесс 32 нм интегрированное графическое ядро встроенный контроллер памяти
1800 ₽
Процессор Intel Core i5-3330 3000MHz LGA1155
Сокет LGA1155Количество ядер 4 x 3000-3200 МГцОбъем кэша L2/L3 1 МБ/6 МБОперативная память 2 x DDR3 1333/1600 МГцТепловыделение 77 ВтИнтегрированная графика HD Graphics 2500 1050 МГцТехпроцесс 22 нмКоличество
1600 ₽
Процессор Intel Core i7-12700KF 3.6GHz
комплектация: BOX сокет: LGA1700 количество ядер: 12 частота 3600 МГц техпроцесс 10 нм
29000 ₽
Процессор Intel Xeon 2.8 GHz Socket PPGA603 BX80532KC2800FSL6YL
SL6YL 2800MP-2ML3-400-1.475VBX80532KC2800FSL6YL
3000 ₽
DDR 3
4Gb Elixir DDR3 1600 DIMM (M2X4G64CB8HG9N-DG)
M2X4G64CB8HG9N-DG
700 ₽
Оперативная память 2Gb Nanya NT2GC64B88G0NS-DI DDR3 1600 SODIMM
410 ₽
Оперативная память 2Gb Patriot PSD32G16002 DDR3 1600 DIMM CL11
150 ₽
Оперативная память 4Gb 1600MHz Apacer AU04GFA60CATBGC DDR3 1600 DIMM
Оригинальный модуль Apacer AU04GFA60CATBGCтип памяти DDR3объем модуля 4 ГБформ-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 1600 МГц
400 ₽
Оперативная память 4Gb Crucial BLS4G3N169ES4 DDR3L 1600 SODIMM CL9
Объем одного модуля 4 ГБ Тип DDR3L SODIMM 204-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 9-9-9-24 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC12800 Особенности радиатор
1500 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston ASU16D3LS1KFG/4G DDR3L 1600 SODIMM
Объем памяти 4 ГБТип DDR3L SODIMM 204-pinТактовая частота 1600 МГцПропускная способность PC12800
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KTL-TP3B/4G DDR3 1333 SODIMM
2500 ₽
Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173CB0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM
Объем памяти 4 ГБТип DDR3L DIMM 240-pinТактовая частота 1600 МГцТайминги 11Напряжение питания 1.35 ВПропускная способность PC12800
1400 ₽
Оперативная память 4Gbx2 Corsair XMS3 CMX8GX3M2B1600C9 DDR3 1600 DIMM
Оригинальный набор памяти Corsair XMS3 CMX8GX3M2B1600C9тип памяти DDR3объем модуля 4 ГБколичество модулей 2форм-фактор DIMM, 240-контактныйчастота 1600 МГц
1800 ₽
Термопаста и термопрокладки
Концентрат Coollaboratory Liquid Coolant Pro - UV Blue
концентрат жидкости для СЖО уф-синий 100мл
530 ₽
Термопаста Arctic MX-5 4 г шприц
Упаковка:шприц термопаста шприц плотность 3.2 г/см³ рабочая температура от -40 °C до 180 °C теплопроводность 8.5 Вт/мК
1000 ₽
Термопрокладка AOK 100x100x1.0mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
Наименование TP500S40Внешний вид Эластичный мягкий листовой материалЦвет Светло-зеленныйКонструкция и состав Силикон, керамический наполнительЛипкость Обладает естественной липкостью с двух сторонТолщина, мм 1.0 (ASTM D3
840 ₽
Термопрокладка AOK 100x100x1.5mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
Наименование TP500S40Внешний вид Эластичный мягкий листовой материалЦвет Светло-зеленныйКонструкция и состав Силикон, керамический наполнительЛипкость Обладает естественной липкостью с двух сторонТолщина, мм 1.0 (ASTM D3
1400 ₽
Термопрокладка AOK 50x100x0.5mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
500 ₽
Термопрокладка AOK 50x100x1.0mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
Наименование TP500S40Внешний вид Эластичный мягкий листовой материалЦвет Светло-зеленныйКонструкция и состав Силикон, керамический наполнительЛипкость Обладает естественной липкостью с двух сторонТолщина, мм 1.0 (ASTM D3
600 ₽
Термопрокладка AOK 50x100x1.5mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
Наименование TP500S40Внешний вид Эластичный мягкий листовой материалЦвет Светло-зеленныйКонструкция и состав Силикон, керамический наполнительЛипкость Обладает естественной липкостью с двух сторонТолщина, мм 1.0 (ASTM D3
700 ₽
Термопрокладка AOK 50x50x0.5mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
250 ₽
Термопрокладка AOK 50x50x1.0mm TP500S40 5.0 Вт/мК Мягкая
Наименование TP500S40Внешний вид Эластичный мягкий листовой материалЦвет Светло-зеленныйКонструкция и состав Силикон, керамический наполнительЛипкость Обладает естественной липкостью с двух сторонТолщина, мм 1.0 (ASTM D3
300 ₽
Внешние SSD (USB)
Внешний SSD 1Tb Samsung T7 Shield бежевый MU-PE1T0K/WW
Тип внешний SSDМодель Samsung T7 ShieldКод производителя MU-PE1T0K/WWОсновной цвет бежевыйОбъем накопителя 1000 ГБМаксимальная скорость записи (сжатые данные) 1000 Мбайт/секМаксимальная скорость чтения (сжатые данн
11400 ₽
Внешний SSD 1Tb Samsung T7 Shield черный MU-PE1T0
Тип внешний SSDМодель Samsung T7 ShieldКод производителя MU-PE1T0S/WWОсновной цвет черныйОбъем накопителя 1000 ГБМаксимальная скорость записи (сжатые данные) 1000 Мбайт/секМаксимальная скорость чтения (сжатые данны
11400 ₽
Внешний SSD 1Tb WD My Passport 2020 WDBAGF0010BGY-WESN (WDBAGF0010BGD-WESN золотой)
Тип внешнийОбъем 1000 ГБФорм-фактор 1.8"Разъем USB C 3.2 gen2NVMe +Внешняя скорость записи 1050 МБ/сВнешняя скорость считывания 1000 МБ/сКабель в комплекте USB C – USB C и USB C – USB AМатериал корпуса
11000 ₽
Внешний SSD 1Tb WD My Passport 2020 WDBAGF0010BGY-WESN (WDBAGF0010BGY-WESN серый )
Тип внешнийОбъем 1000 ГБФорм-фактор 1.8"Разъем USB C 3.2 gen2NVMe +Внешняя скорость записи 1050 МБ/сВнешняя скорость считывания 1000 МБ/сКабель в комплекте USB C – USB C и USB C – USB AМатериал корпуса
11000 ₽
Внешний SSD 250 Gb USB3.1 SanDisk Extreme SDSSDE60-250G-R25
Форм-фактор 1.8"Материал корпуса Резина-пластикСтрана-изготовитель КитайОбъем 250 ГБЦвет Темно-серыйПартномер SDSSDE60-250G-R25Тип жесткого диска SSDМакс. Скорость записи, Мб/с 550
5000 ₽
Внешний SSD 250Gb SanDisk Extreme Portable SDSSDE60-250G-G25
емкость: 250 ГБ форм-фактор: 1.8" интерфейс: USB 3.1 Type-C
5000 ₽
Внешний SSD 2Tb Samsung T7 Shield черный MU-PE2T0S/WW
Тип внешний SSDМодель Samsung T7 ShieldКод производителя MU-PE2T0S/WWОсновной цвет черныйОбъем накопителя 2000 ГБМаксимальная скорость записи (сжатые данные) 1000 Мбайт/секМаксимальная скорость чтения (сжатые данны
19700 ₽
Cистемы охлаждения
Вентилятор Arctic Cooling F12 Pro
Количество вентиляторов 1Диаметр вентилятора 120Скорость 500-1500 об/мин, регулятор оборотовВоздушный поток 54 CFMТип коннектора 3-pin PWMТип подшипника гидродинамический
350 ₽
Вентилятор для корпуса Cooler Master MasterFan MF120L 120x120x25 3pin
вентилятор 120 мм скорость 1200 об/мин тип коннектора: 3-pin уровень шума 25 дБ воздушный поток: 32 CFM
150 ₽
Комплект вентиляторов для корпуса Lian Li UF-SL120V2-3W белый
Набор корпусных вентиляторов 3шт Lian Li UF-SL120V2-3WМакс. скорость вращения, об/мин 2000Макс. воздушный поток, CFM 64.5Цвет БелыйНапряжение питания, В 12Макс. уровень шума, дБ 29.2Диаметр вентилятора, мм 120
6500 ₽
Концентрат Coollaboratory Liquid Coolant Pro - UV Green
концентрат жидкости для СЖО уф-зелёный100мл
400 ₽
Кулер для процессора TITAN TTC-NC65TX (RB)
максимальная рассеиваемая мощность (TDP) 105 Втвысота кулера 130 ммсокет AM2, AM3, AM3+, AM2+, LGA 1151, LGA 1150, FM1, LGA 1155, LGA 1156, LGA 1356, LGA 1151-v2, LGA 1366, LGA 775, 940, 754, 939, LGA 1200количество тепловых трубок
1820 ₽
Кулер для процессора Zalman CNPS90F
Игровой: да кулер для процессора Intel: LGA775, LGA1150/1151/1155/1156, LGA1356/1366 AMD: AM2, AM2+, AM3/AM3+/FM1, FM2/FM2+, S754, S939, S940 1 вентилятор 90 мм скорость 2300 об/мин радиатор из алюминия урове
750 ₽
Блоки питания
Адаптер питания FSP NB V90, 19V, 90Вт, универсальный, черный
Производитель FSPМодель NB V90Блок питания для ноутбукаКорпус ПластикЦвета ЧерныйСила тока 4.74 АЗащита от перегрузки на выходе ЕстьУниверсальный сетевой адаптер питания для ноутбуков.Длина кабеля 2.05
1900 ₽
Блок питания Aerocool ECO-500 500W ATX (24+4+6 / 8пин)
Блок питания Aerocool ECO-500 серого цвета,ATX, мощность 500W,питание МП (24+4pin),питание видеокарты 1х6 pin, 3xSATA,размер вентилятора 120мм
1700 ₽
Блок питания Lenovo 4X20M26272 для ноутбуков Lenovo USB-C 65W
совместимость: Lenovo мощность 65 Вт входное напряжение: 100-240 В USB Type C
3400 ₽
Блок питания Thermaltake Smart Pro RGB Bronze 750W / 80+ Bronze
9500 ₽
Блок питания Zalman ZM750-GVII Black 750W ATX (24+2x4+4x6/8пин)
Модель ZALMAN GigaMax (GVII) 750WКод производителя [ZM750-GVII]Мощность (номинал) 750 ВтОсновной разъем питания 20 + 4 pinРазъемы для питания процессора (CPU) 4+4 pin x2Разъемы для питания видеокарты (PCI-E) 6+2 pin x4
6000 ₽
Кабель силовой HP 100614-009 1.8m
HP C13 To Euro Plug 10A 250v 180cm/1,8m
190 ₽
Сетевое оборудование
Wi-Fi роутер ASUS WL-700gE Диск IDE 250Gb
Технические характеристики: WAN: один порт Ethernet 10/100 Мбит/с с поддержкой функции auto crossover (MDI-X); LAN: 4 порта RJ45 Ethernet 10/100 Мбит/с с поддержкой функции auto crossover (MDI-X); Антенны: 2 антенны (одна внут
5000 ₽
Сетевая карта HP PCI Express Quad Port Gigabit Server Adapter (Intel)
5500 ₽
Сетевая карта Intel PWLA8391GT PCI 1000 Мбит/с
сетевая карта, интерфейс PCI 2.3 скорость 10/100/1000 Мбит/с чип Intel 82541PI буфер 64 КБ 1 разъем RJ-45
1500 ₽
Сетевая карта Intel X550T2BLK 2xRG45 10Gb/s PCI-E 3.0x8
Интерфейс PCI-EСкорость передачи данных 10/100/1000/10000Количество разъемов RJ-45 2Поддержка 802.1pПоддержка 802.1Q VLANПоддержка 802.3x Flow ControlЧип Intel X550Поддержка VMDq, VT-c, SR-IOV
29900 ₽
Сетевой адаптер PCI-Express TP-Link TL-WN781ND, 150Мбит/с
Стандарт беспроводной связи:Wi-Fi 3 (802.11g), Wi-Fi 4 (802.11n)Интерфейс подключения к ПК:PCI-EЧастотный диапазон WiFi:2.4 ГГц
750 ₽
Хаб Baseus Enjoy Series Type-C to RJ45 - Серый (CAHUB-H0G)
Хаб Baseus Enjoy Series CAHUB-H0G заменяет отсутствующий в ноутбуке Ethernet-порт и позволяет подключить проводной интернет к ноутбуку с разъемом USB Type-C. Переходник миниатюрный и легкий. Состоит из двух частей: пластикового корпуса с разъем
1000 ₽
USB Flash drive
USB Flash накопитель 256Gb Sandisk Ultra Flair SDCZ73-256G-G46 USB 3.0
2700 ₽
USB флешка 256GB Samsung MUF-256BE3/AM USB 3.1 Flash Drive BAR Plus
флэш-накопитель 256 ГБ интерфейс USB 3.1 Gen 1 (обратная совместимость с USB 3.0/2.0) Скорость чтения до 300 млн байт / сек для USB 3.0
3400 ₽
Флешка 256GB SanDisk Ultra Dual Drive m3.0
4000 ₽
Клавиатуры мыши
Беспроводная игровая мышь Logitech G305 Lightspeed, черный
Тип мыши Оптическая светодиоднаяКоличество кнопок мыши 6 штХват Для правой и левой рукиПрограммируемые кнопки ДаТип питания Батарейка 1xAAТип соединения БеспроводнаяТип беспроводного соединения РадиоканалРазр
6500 ₽
Беспроводная мышь Logitech G Pro Wireless (910-005272)
игровая, оптическая светодиодная разрешение оптического сенсора 16000 dpi интерфейс подключения: USB количество клавиш 5 для правой и левой руки
9400 ₽
Мышь Logitech Wireless Silent M330s Black
Интерфейс подключения USB Type A, радиоканал Принцип работы оптическая светодиоднаяРазрешение оптического сенсора 1000 dpiКоличество клавиш 3 Источник питания 1xAAДизайн для правой руки
1750 ₽
Контроллеры
USB Кабель-адаптер USB AM - LPT port 25 pin
500 ₽
Контроллер PCI STLab I-142 PCI 2xCOM9M
Основные характеристикиИнтерфейс PCIКоличество поддерживаемых устройств с прямым подключением 2 штВнешние порты COM (serial, DB9, RS232) 2 шт
1100 ₽
Плата MOXA CP-168U w/o Cable 8-port RS-232
8-портовая плата RS-232 (без кабеля)
4000 ₽
DDR 2
Оперативная память 2Gb Kingston HPK800D2S6/2G DDR2 PC2-6400 800 SODIMM
700 ₽
Оперативная память 2Gb Samsung M470T5663QZ3-CF7 DDR2 800 SODIMM
1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6
700 ₽
Для ПК (DIMM)
Оперативная память 4Gb HP MT36HTF51272FZ-667H1D6 DDRII FB-DIMM
Производитель Micron for HPМодель MT36HTF51272FZ-667H1D6Для серверов 3Par V400 V800 StoreServ 10800 10400Тип памяти FB-DIMMОбъем 4GbВид Памяти DDRIIСкорость 667Расшифовка PC2-5300FНазначение DIMM для се
1000 ₽
Оперативная память 4Gb Kingston KVR16N11/4 DDR3 1600 DIMM
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
700 ₽
Материнские платы
Материнская плата ASUS ROG STRIX Z690-I GAMING WIFI DDR5
Область применения игроваяФорм-фактор mini-ITXСокет LGA1700Чипсет Intel Z690Тип памяти DDR5 DIMM, DDR5Количество слотов памяти 2Максимальная частота памяти 6000 МГцКоличество слотов M.2 2Поддержка PCI E
31000 ₽
Материнская плата MSI B75MA-E33 LGA1155 MicroATX 2DDR3
2700 ₽
AMD Socket AM4 + all
Материнская плата MSI MPG B550 GAMING PLUS
Технические характеристики Материнская плата MSI MPG B550 GAMING PLUS Бренд: MSI Сокет: AM4 Чипсет: AMD B550 Количество слотов памяти: 4 Форм-фактор: ATX Ethernet: 1000 Мбит/с, на основе Realtek 8111H Б
11900 ₽
Видеокарты
Видеокарта ASUS TUF Gaming GeForce RTX 4090 24GB GDDR6X tuf-rtx4090-o24g-og-gaming
Назначение:игровая Производитель видеопроцессора:NVIDIAСерия процессора:NVIDIA GeForce RTXГрафический процессор:NVIDIA GeForce RTX 4090Частота графического процессора (базовая):2235 МГц Частота графического процессора (максима
188000 ₽
Внешние HDD (USB)
Внешний бокс для SSD M.2 NVMe 2230 JMS583 из алюминиевого сплава с защитой от записи
Внешний бокс для SSD M.2 NVMe 2230 JMS583 из алюминиевого сплава с защитой от записиКонтроллер : JMS583Материал корпуса: алюминиевый сплавПоддержка протокола жесткого диска: для NVMeСкорость чтения и записи: 1000 МБ/сРаз
2000 ₽
Для компьютеров (3.5")
Жесткий диск 320Gb Seagate Barracuda ST320DM000 3.5" 7200rpm 16Mb
Бренд SEAGATEМодель ST320DM000Тип жесткого диска HDDФорм-фактор 3.5 "Объем накопителя 320 ГББуферная память 16 МБСкорость вращения шпинделя 7200 об/минИнтерфейс SATA III
2000 ₽
Для ноутбуков (2.5")
Жесткий диск 160Gb Western Digital Scorpio Blue WD1600BPVT 2.5" 5400rpm 8Mb
2200 ₽
Карты памяти (Flash drive)
Карта памяти 256GB MicroSD SanDisk Ultra UHS-I SDSQUA4-256G-GN6MN
Производитель: SanDisk Тип карты памяти: microSDXC Объем памяти: 256 ГБ Class 10 UHS Class 1 A1
3300 ₽
Компьютерные корпуса
mATX Yuhanhi Tec U701 60W
3200 ₽
Корпуса и док-станции для жестких дисков
Сетевое хранилище MATCH TECH USB NAS STATION (ANAS-E1-3U1Z-1ALN-EU-BC01)
Описание: USB NAS станция с тремя портами USB и одним eSATA/USB комбо-портом для дома или малого офиса. Поддержка работы с USB/eSATA внешними HDD и USB принтерами (принт-сервер с LPR). Web Server (HTTP)/BitTorrent download station/iTunes
800 ₽
Наушники и Bluetooth-гарнитуры
Портативная колонка MusicDealer Rare
Звук моноСуммарная мощность 5 ВтПитание автономноеБеспроводная связь BluetoothРазъемы вход аудио mini jack 3.5 mmВремя работы 5 чВес 0.158 кгОсобенности влагозащищенный корпус, встроенный микрофон
2000 ₽
Форм-фактор 2.5"
Твердотельный накопитель 1Tb Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW
ssd samsung 870 evo 1tbформ-фактор: 2.5"емкость: 1000 ГБскорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/синтерфейс подключения: SATA 6Gb/sвремя наработки на отказ: 1500000 ч
8300 ₽
Hasn't been updated for a while. Source: Yandex Webmaster