Media Market group

s-1150 / 2 ядра, частота 2.8 ГГц, кэш 512 КБ + 2 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA1150, TDP 53W

s-1151 / 2 ядра, частота 3.3 ГГц + 3 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA1151, TDP 54W

s-1151 v2 / 4 ядра, частота 3.6 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1151 v2 / 6 ядер, частота 4/2.8 ГГц, кэш 9 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1151 v2 / 6 ядер, частота 3.0 ГГц, кэш 9 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 2 ядра, частота 3.7 ГГц, кэш 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 54W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 2 ядра, частота 3.5 ГГц, кэш 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 58W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.3/3.6 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.3/3.6 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.4/3.7 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.4/3.7 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.3/2.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.3/2.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.8/4.1 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.4/2.6 ГГц, кэш 1 Кб + 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.4/2.6 ГГц, кэш 1 Кб + 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.8/2.8 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.9/3.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, частота 5/3.6 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-1200 /Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, частота 5.3/3.5 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 2 ядра, частота 4.1 ГГц, кэш 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 58W

s-1200 /Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 5.1/3.5 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 95W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 5.6/2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

s-1700 / Alder Lake, 2 ядра,техпроцесс 10 нм, LGA1700, частота 3.4 ГГц, кэш 2.5 МБ + 4 МБ, TDP 58W

s-1700 / Alder Lake, LGA1700, 4 ядра, частота 4.3/3.3 ГГц, кэш 5 МБ + 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 89W

s-1700 / Alder Lake, 4 ядра, техпроцесс 10 нм, LGA1700, частота 4.3/3.3 ГГц, кэш 5 МБ + 12 МБ,TDP 89W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 4 ядра, частота 4.5/3.4 ГГц, кэш 5 МБ + 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 89W

s-1700 /Raptor Lake, LGA1700, 4 ядра, частота 4.5/3.4 ГГц, кэш 5 МБ + 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 89W

s-1700 / Alder Lake, 6 ядер, техпроцесс 10 нм, частота 4.4/2.5 ГГц, кэш 7.5 МБ + 18 МБ, TDP 117W

s-1700 / Alder Lake, 6 ядер, техпроцесс 10 нм, частота 4.4/2.5 ГГц, кэш 7.5 МБ + 18 МБ, TDP 117W

s-1700 /Alder Lake, LGA1700, 6 ядер, частота 4.6/3 ГГц, кэш 7.5 МБ + 18 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 117W

s-1700 / Alder Lake, LGA1700, 10 ядер, частота 4.9/2.8 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

s-1700 / Alder Lake, LGA1700, 10 ядер, частота 4.9/2.8 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

s-1700 /Raptor Lake, LGA1700, 10 ядер, частота 4.6/1.8 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 154W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 10 ядер, частота 4.6/1.8 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 148W

s-1700 /Raptor Lake, LGA1700, 14 ядер, частота 5.1/2.6 ГГц, кэш 20 МБ + 24 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 181W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 14 ядер, частота 5.1/2.6 ГГц, кэш 20 МБ + 24 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 181W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 14 ядер, частота 5.3/2.6 ГГц, кэш 20 МБ + 24 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 181W

s-1700 /Alder Lake, LGA1700, 12 ядер, частота 4.9/1.6 ГГц, кэш 12 МБ + 25 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 180W

s-1700 / Alder Lake, 12 ядер, техпроцесс 10 нм,частота 4.9/1.6 ГГц, кэш 12 МБ + 25 МБ,TDP 180W

s-1700 /Alder Lake, LGA1700, 12 ядер, частота 5/2.7 ГГц, кэш 12 МБ + 25 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 190W

s-1700 / Alder Lake, LGA1700, 12 ядер, частота 5/2.7 ГГц, кэш 12 МБ + 25 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 190W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.2/1.5 ГГц, кэш 24 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.2/1.5 ГГц, кэш 24 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.4/2.5 ГГц, кэш 24 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.4/2.5 ГГц, кэш 24 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 20 ядер, частота 5.6/2.5 ГГц, кэш 28 МБ + 33 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 253W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 20 ядер, частота 5.6/2.5 ГГц, кэш 28 МБ + 33 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

s-1700 /Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.1/1.8 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 202W

s-1700 / Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.2/2.4 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 241W

s-1700 / Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.2/2.4 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 241W

s-1700 /Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 5.6/2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

s-1700 /Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 5.8/2.2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 5.8/2.2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

s-1700 /Alder Lake, LGA1700, 2 ядра, частота 3.7 ГГц, кэш 2.5 МБ + 6 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 46W

s-2011 / 4 ядра, частота 2.5 ГГц, кэш 1 МБ + 10 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA2011, TDP 80W

s-2011 / Haswell, LGA2011-3, 4 ядра, частота 3.7/3.5 ГГц, кэш 15 МБ, техпроцесс 22 нм, TDP 135W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 10 ядер, частота 3.4/2.5 ГГц, кэш 13.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 3.7/3 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 24 ядра, частота 4/2.2 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 4 ядра, частота 3.9/3.8 ГГц, кэш 17 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 105W

s-3647 / Skylake, LGA3647, 16 ядер, частота 3.7/2.1 ГГц, кэш 16 МБ + 22 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 10 ядер, частота 3.2/2.4 ГГц, кэш 13.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 100W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 4/3.2 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 130W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 16 ядер, частота 3.2/2.1 ГГц, кэш 22 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 100W

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 12 ядер, частота 3.6/3 ГГц, кэш 18 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 26 ядер, частота 3.4/2.2 ГГц, кэш 39 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 16 ядер, частота 3.5/2.9 ГГц, кэш 24 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W

s-4189 / Ice Lake, LGA4189, 28 ядер, частота 3.1/2 ГГц, кэш 42 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 8 ядер, частота 3.7/3.6 ГГц, кэш 18 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 165W

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 12 ядер, частота 3.3/2.1 ГГц, кэш 18 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 120W

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 16 ядер, частота 3.4/2.4 ГГц, кэш 24 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 135W

s-AM3+ / 4 ядра, частота 3.8 ГГц, кэш 4 МБ + 4 МБ, техпроцесс 32 нм, сокет AM3+, TDP 95W

s-AM4 / 2 ядра, частота 3.4/3 ГГц, кэш 1 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 35W

s-AM4 / 2 ядра, частота 3.2 ГГц, кэш 1 Мб + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

s-AM4 / Сокет: AM4; 2; 3500 МГц; 4 Mб; Radeon Vega 3; 12 нм; DDR4; 35 Вт

s-AM4 / Picasso, AM4, 4 ядра, частота 4/3.6 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 65W

s-AM4 / Renoir, AM4, 4 ядра, частота 4/3.8 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 / Matisse, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 /Renoir, AM4, 6 ядер, частота 4.1/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 8 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 95W

s-AM4 / Renoir, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.7 ГГц, кэш 3 МБ + 8 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 / Cezanne, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 / Vermeer, AM4, 6 ядер, частота 4.4/3.5 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 / Cezanne, AM4, 6 ядер, частота 4.4/3.9 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 / Renoir, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.7 ГГц, кэш 3 МБ + 8 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 / Matisse, AM4, 8 ядер, частота 4.4/3.6 ГГц, кэш 4 Мб + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 /Cezanne, AM4, 8 ядер, частота 4.6/3.8 ГГц, кэш 4 Мб + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 / Vermeer, AM4, 8 ядер, частота 4.6/3.4 ГГц, кэш 4 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 / Без кулера, Vermeer, AM4, 8 ядер, частота 4.7/3.8 ГГц, кэш 4 Мб + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

s-AM4 / Vermeer, AM4, 12 ядер, частота 4.8/3.7 ГГц, кэш 6 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

s-AM4 / Без кулера, Vermeer, AM4, 16 ядер, частота 4.9/3.4 ГГц, кэш 8 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

s-AM5 / Raphael, AM5, 6 ядер, частота 5/3.7 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 65W

s-AM5 / Raphael, AM5, 6 ядер, частота 5.1/3.8 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 65W

s-AM5 / Raphael, AM5, 12 ядер, частота 5.6/4.7 ГГц, кэш 12 МБ + 64 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 170W

s-AM5 / OEM версия. Raphael, AM5, 16 ядер, частота 5.7/4.5 ГГц, кэш 16 МБ + 64 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 170W

s-AM5 / Raphael, AM5, 16 ядер, частота 5.7/4.2 ГГц, кэш 16 МБ + 128 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 120W

s-SP3 /SP3, 16 ядер, частота 3.7/3 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 180W

s-AM4 /Bristol Ridge, AM4, 4 ядра, частота 4/3.8 ГГц, кэш 2 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 65W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 24 ядра, частота 5.8/2.4 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 24 ядра, частота 5.8/2.4 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

s-1151 v2 / 6 ядер, частота 4.6/3.2 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1151 v2 / 6 ядер, частота 4.9/4 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 95W

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.1/2.9 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 4 ядра, 8 потоков, частота 4.7/3.5 ГГц, кэш 5 МБ + 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 110W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 4 ядра, 8 потоков, частота 4.7/3.5 ГГц, кэш 5 МБ + 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 110W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 10 ядер, 16 потоков, частота 4.7/2.5 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, 148W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 10 ядер, 16 потоков, частота 4.7/2.5 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, 148W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 20 ядер, 28 потоков, частота 5.4/2.1 ГГц, кэш 28 МБ + 33 МБ, техпроцесс 10 нм, 219w

s-AM4 / Cezanne, AM4, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.4/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 / Cezanne, AM4, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.6/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 / Vermeer, AM4, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.1/3 ГГц, кэш 4 МБ + 96 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

s-AM5 / Phoenix, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 5/4.3 ГГц, кэш 6 МБ + 16 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 65W

s-AM5 / Phoenix, AM5, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.1/4.2 ГГц, кэш 8 МБ + 16 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 65W

s-AM5 / Phoenix, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 5/3.2 ГГц, кэш 6 МБ + 16 МБ, техпроцесс 4 нм,

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 14 ядер, 20 потоков, частота 5/2.6 ГГц, кэш 11.5 МБ + 24 МБ, 10 нм, TDP 154W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 3.8/3 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

s-AM4 /Picasso, AM4, 2 ядра, частота 3.4 ГГц, кэш 1 МБ + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

s-1700 / Raptor Lake-R, LGA1700, 20 ядер, 28 потоков, частота 5.4/2.1 ГГц, кэш 28 МБ + 33 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 2

s-AM4 / Picasso, AM4, 4 ядра, частота 4.2/3.7 ГГц, кэш 2 МБ + 4 + 4 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 65W

s-AM4 / Сокет: AM4; 6; 3600 МГц; 4100 МГц; 32 Mб; 7 нм; DDR4,DDR4 (ECC); 65 Вт

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 16 ядер, частота 4/3.6 ГГц, кэш 45 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 270W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.2/1.5 ГГц, кэш 24 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

s-AM4 / Сокет: AM4; 6; 3600 МГц; 4100 МГц; 16 Mб; 65 Вт

s-AM5 / Phoenix, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.7/4.2 ГГц, кэш 6 МБ + 16 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 65W

s-1200 /Comet Lake, LGA1200, 10 ядер, частота 4.6/1.9 ГГц, кэш 20 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

s-AM4 / 2 ядра, частота 3.8/3.5 ГГц, кэш 1 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 65W

s-AM4 / Matisse, AM4, 4 ядра, частота 3.9/3.6 ГГц, кэш 2 МБ + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-1700 / Raptor Lake-R / 24 / 32.0 / 3.2 / 6.2 / 253.0 / 10.0 / 32.0 / 36.0 / LGA1700 / да / OEM

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 8 ядер, частота 3.6/3.2 ГГц, кэш 1 МБ + 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 125W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.4/3.7 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-AM5 / 2024 г, Granite Ridge, 6 ядер, 12 потоков, частота 5.4/3.9 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 65W

s-AM5 / 2024 г, Granite Ridge, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.5/3.8 ГГц, кэш 8 МБ + 32 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 65W

s-AM5 / 2024 г, Granite Ridge, 16 ядер, 32 потока, частота 5.7/4.3 ГГц, кэш 16 МБ + 64 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 170W

s-AM5 / Phoenix, AM5, 8 ядер, 16 потоков, частота 5/4.1 ГГц, кэш 8 МБ + 16 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 65W

s-AM5 / 2024 г, Granite Ridge, AM5, 12 ядер, 24 потока, частота 5.6/4.4 ГГц, кэш 12 МБ + 64 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP

s-3647 / Skylake, LGA3647, 20 ядер, 40 потоков, частота 3.7/2 ГГц, кэш 27.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-AM5 / Raphael, AM5, 8 ядер, частота 5.3/3.8 ГГц, кэш 8 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 65W

s-AM5 / 2024 г, Raphael, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.7/4.1 ГГц, кэш 6 МБ + 96 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 65W

s-AM5 / 2024 г, Granite Ridge, AM5, 8 ядер, 16 потоков, частота 5.2/4.7 ГГц, кэш 8 МБ + 96 МБ, техпроцесс 4 нм, TDP 1

s-1151 v2 / 6 ядер, частота 4.1/2.9 ГГц, кэш 9 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.6/3.4 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 71W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.7/3.5 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 71W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 4.8/3.4 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.6/2.7 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 8 ядер, частота 5.1/3.8 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, частота 5/3.6 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 10 ядер, частота 5.3/3.7 ГГц, кэш 20 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.5/2.8 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.8/3.4 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, частота 4.8/2.6 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 14 ядер, частота 4.8/1.8 ГГц, кэш 11.5 МБ + 24 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 154W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 5.6/2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

s-2011 / 8 ядер, частота 2.1 ГГц + 20 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3, TDP 85W

s-2011 / Broadwell, LGA2011-3, 14 ядер, частота 3.5/2.6 ГГц, кэш 35 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 135

s-3647 / Skylake, LGA3647, 6 ядер, частота 1.7 ГГц, кэш 8.3 Мб, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 6 ядер, частота 1.9 ГГц, кэш 8.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 16 ядер, частота 3.9/2.3 ГГц, кэш 22 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 20 ядер, частота 4/2.1 ГГц, кэш 27.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 18 ядер, частота 3.9/2.2 ГГц, кэш 25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-3647 /Cascade Lake, LGA3647, 16 ядер, частота 3.9/2.9 ГГц, кэш 22 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 26 ядер, частота 4/2.1 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 24 ядра, частота 4/2.4 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 20 ядер, частота 4.1/3.1 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 205W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 12 ядер, частота 4.2/3.3 ГГц, кэш 24.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 16 ядер, частота 4.1/3.4 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 205W

s-3647 / Skylake, LGA3647, 8 ядер, частота 3/1.8 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Skylake, LGA3647, 12 ядер, частота 3/2.1 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 3.2/2.1 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 10 ядер, частота 3.2/2.2 ГГц, кэш 14 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 12 ядер, частота 3.2/2.2 ГГц, кэш 17 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 12 ядер, частота 3.5/2.4 ГГц, кэш 16.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 100W

s-4189 / Ice Lake, LGA4189, 18 ядер, частота 3.4/2.3 ГГц, кэш 1 МБ + 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

s-4189 / Cooper Lake, LGA4189, 24 ядра, частота 3.7/2 ГГц, кэш 1 МБ + 33 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

s-4189 / Ice Lake, LGA4189, 32 ядра, частота 3.2/2 ГГц, кэш 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 24 ядра, частота 3.5/2.8 ГГц, кэш 1 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 230W

s-AM4 / 4 ядра, частота 3.7/3.5 ГГц, кэш 2 Мб + 4 Мб, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-AM4 / 4 ядра, частота 3.9/3.6 ГГц, кэш 2 Мб + 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-TR4 / 8 ядер, частота 4/3.8 ГГц, кэш 4 МБ + 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 180W

s-SP3 / Milan, SP3, 16 ядер, частота 4/3.5 ГГц, кэш 512 Кб + 256 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 240W

sWRX8 / Zen, sWRX8, 64 ядра, частота 4.2/2.7 ГГц, кэш 32 МБ + 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

sWRX8 / Zen 3, sWRX8, 64 ядра, частота 4.5/2.7 ГГц, кэш 32 МБ + 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

s-4189 / Ice Lake, LGA4189, 28 ядер, частота 3.5/2.6 ГГц, кэш 42 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 235W

s-AM5 /Raphael, AM5, 8 ядер, частота 5/4.2 ГГц, кэш 8 МБ + 96 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 120W

s-1151 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 4.8/3.6 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 24 ядра, частота 4/3 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 205W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 16 ядер, частота 3.9/2.8 ГГц, кэш 22 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 24 ядра, частота 4/2.6 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 225W

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, частота 3.4/2.1 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 270W

s-4189 / Ice Lake, LGA4189, 18 ядер, частота 3.6/3 ГГц, кэш 39 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

s-1150 / 4 ядра, частота 3.2 ГГц, кэш 1 МБ + 8 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA1150, TDP 84W

s-1150 / Haswell, 4 ядра, частота 3.5 ГГц, кэш 1 МБ + 8 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA1150

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 28 ядер, 56 потоков, частота 4.1/2 ГГц, кэш 52.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, 64 потока, частота 3.4/2 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 250W

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, 64 потока, частота 3.6/1.8 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, 64 потока, частота 3.6/2 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

s-SP5 / Genoa, SP5, 24 ядра, 48 потоков, частота 3.7/2.5 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 240W

s-TR4 / 12 ядер, частота 4/3.5 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 180W

s-FM2+ / Godavari, FM2+, 2 ядра, частота 3.8/3.5 ГГц, кэш 1 Мб + , TDP 65W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 4.9/3.8 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

s-4189 / Cooper Lake, LGA4189, 18 ядер, частота 3.8/2.5 ГГц, кэш 1 МБ + 24.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 4.4/3.6 ГГц, кэш 24.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 16 ядер, частота 3.6/3.1 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 6/2.4 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 4.7/3.4 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 12 ядер, 24 потока, частота 3.9/2 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.2/3.6 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP

s-1700 /Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, частота 5.1/1.8 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 202W

s-SP3 / SP3, 24 ядра, частота 4/2.85 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W

s-SP3 / SP3, 32 ядра, частота 3.7/2.8 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W

s-SP3 /Milan, SP3, 24 ядра, частота 4/3.2 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 10 ядер, частота 5.2/2.8 ГГц, кэш 20 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-SP3 /Milan, SP3, 48 ядер, частота 3.6/2.3 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W

s-2011 / Broadwell, LGA2011-3, 4 ядра, частота 3.7/3.5 ГГц, кэш 15 МБ, техпроцесс 22 нм, TDP 135W

s-AM4 /Vermeer, AM4, 8 ядер, частота 4.6/3.4 ГГц, кэш 4 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-4189 / 2021 г, Ice Lake, LGA4189, 24 ядра, 48 потоков, частота 3.4/2.1 ГГц, кэш 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 165W

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 28 ядер, 56 потоков, частота 3.4/2.2 ГГц, кэш 42 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 165W

s-SP3 /Milan, SP3, 56 ядер, частота 3.5/2 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 240W

s-AM5 / 2023 г, Raphael, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 5/3.7 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 65W

s-AM5 / 2023 г, Raphael, AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 5.1/3.8 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 65W

s-1700 / 2024 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 24 ядра, 32 потока, частота 5.8/2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм,

s-1700 / 2024 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 24 ядра, 32 потока, частота 5.8/2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм,

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.9/3.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-AM4 / 2019 г, Picasso, AM4, 2 ядра, 4 потока, частота 3.4 ГГц, кэш 1 МБ + 4 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 35W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 24 ядра, частота 3.7/2.1 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 18 ядер, частота 4/2.1 ГГц, кэш 24.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 200W

s-SP3 /Naples, SP3, 24 ядра, частота 3.35/2.8 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 180W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 28 ядер, частота 4/2.7 ГГц, кэш 38.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 205W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 4/3.3 ГГц, кэш 24.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 130W

s-2011 / 8 ядер, частота 1.7 ГГц + 20 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3, TDP 85W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 22 ядра, частота 3.7/2.1 ГГц, кэш 30.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 140W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 4.5/3.9 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 185W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 20 ядер, частота 3.9/2.5 ГГц, кэш 27.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 12 ядер, частота 4.5/3.6 ГГц, кэш 33 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 205W

s-4189 /2021 г, Ice Lake, LGA4189, 32 ядра, 64 потока, частота 3.6/2.8 ГГц, кэш 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 265W

s-1200 / 2020 г, Comet Lake, LGA1200, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.5/2 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

s-3647 / 2019 г, Cascade Lake, LGA3647, 24 ядра, 48 потоков, частота 3.9/2.9 ГГц, кэш 38.5 МБ, техпроцесс 14 нм

s-4189 / 2020 г, Cooper Lake, LGA4189, 24 ядра, 48 потоков, частота 4.2/2.3 ГГц, кэш 33 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165

s-4189 /Ice Lake, LGA4189, 32 ядра, частота 3/2.6 ГГц, кэш 48 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 250W

s-AM4 / Vermeer, AM4, 6 ядер, частота 4.4/3.5 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-AM4 /Cezanne, AM4, 8 ядер, частота 4.6/3.8 ГГц, кэш 4 Мб + 16 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-SP3 / SP3, 64 ядра, частота 3.67/2 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W

s-4677 / 2023 г, Emerald Rapids, LGA4677, 28 ядер, 56 потоков, частота 4/2.2 ГГц, кэш 52.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP

s-4677 / 2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, 64 потока, частота 4/2 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

s-4677 / 2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, 64 потока, частота 4.1/2.1 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP

s-4677 / 2023 г, Emerald Rapids, LGA4677, 24 ядра, 48 потоков, частота 4.1/2.9 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP

s-4677 / 2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, 64 потока, частота 4.1/2.8 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP

s-SP5 / 2022 г, Genoa, SP5, 16 ядер, 32 потока, частота 3.7/3 ГГц, кэш 1 МБ + 64 МБ, техпроцесс 6 нм, TDP 200W

s-1851 / 2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 14 ядер, 14 потоков, частота 5.2/4.2 ГГц, кэш 26 МБ + 24 МБ, техпроцесс 3 нм

s-1851 / 2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 14 ядер, 14 потоков, частота 5.2/4.2 ГГц, кэш 26 МБ + 24 МБ, техпроцесс 3 нм, T

s-1851 / 2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 14 ядер, 14 потоков, частота 5.2/4.2 ГГц, кэш 26 МБ + 24 МБ, техпроцесс 3 нм, T

s-1851 / 2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 14 ядер, 14 потоков, частота 5.2/4.2 ГГц, кэш 26 МБ + 24 МБ, техпроцесс 3 нм, T

s-1851 / 2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 20 ядер, 20 потоков, частота 5.5/3.9 ГГц, кэш 36 МБ + 30 МБ, техпроцесс 3 нм, T

s-1851 / 2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 20 ядер, 20 потоков, частота 5.5/3.9 ГГц, кэш 36 МБ + 30 МБ, техпроцесс 3 нм, T

s-1851 / 2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 20 ядер, 20 потоков, частота 5.5/3.9 ГГц, кэш 36 МБ + 30 МБ, техпроцесс 3 нм, T

s-1851 / 2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 20 ядер, 20 потоков, частота 5.5/3.9 ГГц, кэш 36 МБ + 30 МБ, техпроцесс 3 нм, T

s-1851 / 2024 г, Arrow Lake, LGA1851, 24 ядра, 24 потока, частота 5.7/3.7 ГГц, кэш 40 МБ + 36 МБ, техпроцесс 3 нм, TD

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 5/3.2 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 28 ядер, частота 4/2.2 ГГц, кэш 38.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 12 ядер, частота 3.7/2.7 ГГц, кэш 19.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-4189 / Ice Lake, LGA4189, 24 ядра, частота 3.6/2.4 ГГц, кэш 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 185W

s-1151 v2 / 4/4.9GHz, 4core, 8Mb L3, Intel UHD Graphics P630, 83W(CM8068404174407)

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 20 ядер, 40 потоков, частота 3.9/2 ГГц, кэш 37.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 165W

s-SP3 / Rome, SP3, 24 ядра, частота 3.2/2.3 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 155W

s-SP3 / SP3, 24 ядра, частота 3.6/2.65 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W

s-SP3 / Rome, SP3, 64 ядра, частота 3.4/2.25 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 225W

s-SP3 / SP3, 64 ядра, частота 3.5/2.45 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

s-3647 / Skylake, LGA3647, 8 ядер, частота 3/1.8 ГГц, кэш 11 Мб, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-SP3 / Rome, SP3, 16 ядер, частота 3.2/2.8 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 120W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.3/3.6 ГГц, кэш 6 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-4189 / 2021 г, Ice Lake, LGA4189, 20 ядер, 40 потоков, частота 3.5/2.3 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка

s-1150 / Kaby Lake, LGA1151, 2 ядра, частота 3.4 ГГц, кэш 3 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 35W

s-1150 / 2 ядра, частота 3.2 ГГц, кэш 512 КБ + 3 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA1150, TDP 53W

s-AM1 / 4 ядра, частота 1.3 ГГц, кэш 2 МБ, техпроцесс 28 нм, сокет AM1, TDP 25W

s-AM4 / 4 ядра, частота 3.8/3.5 ГГц, кэш 2 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 65W

s-AM4 / Renoir, AM4, 4 ядра, частота 4/3.5 ГГц, кэш 2 МБ + 4 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 35W

s-AM4 / 8 ядер, частота 4.3/3.7 ГГц, кэш 4 Мб + 16 МБ, техпроцесс 12 нм, TDP 105W

s-1151 / 2 ядра, частота 2.9 ГГц + 2 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA1151, TDP 51W

s-SP5 / Genoa, SP5, 16 ядер, 32 потока, частота 4.4/4.1 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 400W

s-2011 / Broadwell, LGA2011-3, 14 ядер, частота 3.3/2.4 ГГц, кэш 35 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 120W

s-2066 / Cascade Lake, LGA2066, 12 ядер, частота 4.8/3.5 ГГц, кэш 19.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

s-1151 / 2 ядра, частота 2.8 ГГц + 2 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA1151, TDP 51W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 6 ядер, частота 4.4/3 ГГц, кэш 9 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 6

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.8/3.3 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, частота 5.1/2.8 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 80W

s-2011 / 10 ядер, частота 2.4 ГГц + 25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 90W

s-SP5 / 2022 г, Genoa, SP5, 32 ядра, 64 потока, частота 4.3/3.85 ГГц, кэш 256 МБ, поддержка DDR5, TDP 320W

s-SP3 /Milan, SP3, 32 ядра, частота 4/2.95 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

s-SP5 / Genoa, SP5, 64 ядра, 128 потоков, частота 3.7/2.45 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 300W

s-SP5 / 2022 г, Genoa, SP5, 24 ядра, 48 потоков, частота 4.3/4.05 ГГц, кэш 256 МБ, TDP 320W

s-SP3 / Rome, SP3, 48 ядер, частота 3.3/2.3 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 225W

s-SP3 / SP3, 32 ядра, частота 3.7/2.8 ГГц, кэш 256 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 240W

s-3647 / Skylake, LGA3647, 10 ядер, частота 3/2.2 ГГц, кэш 14 Мб, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-AM4 / 2022 г, Renoir (Zen 2), сокет AM4, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.2/3.7 ГГц, кэш 3 МБ + 8 МБ, техпроцесс 7 нм,

sWRX8 / 2022 г, Zen 3, WRX8, 16 ядер, 32 потока, частота 4.5/4 ГГц, кэш 8 МБ + 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 280W

s-SP3 /SP3, 16 ядер, частота 3.9/3.2 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 200W

s-1700 / Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 5.8/2.2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 253W

s-AM4 / Vermeer, AM4, 6 ядер, частота 4.6/3.7 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.8/2.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 2 ядра, частота 3.8 ГГц, кэш 4 Мб, техпроцесс 14 нм, TDP 54W

s-3647 / Skylake, LGA3647, 12 ядер, частота 3.7/2.6 ГГц, кэш 19.3 МБ, TDP 125W

s-AM4 / Matisse, AM4, 6 ядер, частота 4.2/3.6 ГГц, кэш 3 МБ + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 65W

s-SP3 / Rome, SP3, 8 ядер, частота 3.2/3.1 ГГц, кэш 64 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 120W

s-3647 / Skylake, LGA3647, 6 ядер, частота 3.7/3.4 ГГц, кэш 19.25 МБ, TDP 115W

s-FM2+ / Carrizo, FM2+, 4 ядра, частота 3.8/3.5 ГГц, кэш 2 МБ + , техпроцесс 28 нм, TDP 45W

s-SP5 / Genoa, SP5, 96 ядер, 192 потока, частота 3.55/2.4 ГГц, кэш 384 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 400W

s-SP5 / Genoa, SP5, 84 ядра, 168 потоков, частота 3.7/2.25 ГГц, кэш 384 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 300W

s-SP3 / Rome, SP3, 16 ядер, частота 3.3/3 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 155W

s-SP3 / Rome, SP3, 32 ядра, частота 3.35/2.35 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 155W

s-4677 / 2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, 64 потока, частота 4.1/2.4 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, подд

s-1151 / 4 ядра, частота 3.5/3 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 72W

s-1151 v2 /Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.8/3.8 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 71W

s-1700 / 2024 г, Raptor Lake-R, сокет LGA1700, 10 ядер, 16 потоков, частота 4.7/2.5 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроце

s-AM5 / 2025 г, Raphael (Zen 4), сокет AM5, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.7/3.7 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 н

s-SP5 / Genoa, SP5, 32 ядра, 64 потока, частота 3.9/2.7 ГГц, кэш 128 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 240W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.8/3.6 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 71W

s-4677 / 2023 г, Sapphire Rapids, LGA4677, 12 ядер, 24 потока, частота 4.1/2.4 ГГц, кэш 30 МБ, техпроцесс 10 нм, подд

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 3.5/2.5 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Skylake, LGA3647, 4 ядра, частота 3/2.6 ГГц, кэш 8.3 Мб, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-AM4 / Без кулера, Vermeer, AM4, 8 ядер, частота 4.7/3.8 ГГц, кэш 4 Мб + 32 МБ, техпроцесс 7 нм, TDP 105W

s-AM5 / Raphael, AM5, 6 ядер, частота 5.3/4.7 ГГц, кэш 6 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 105W

s-AM5 /Raphael, AM5, 8 ядер, частота 5.4/4.5 ГГц, кэш 8 МБ + 32 МБ, техпроцесс 5 нм, TDP 105W

Шлифовальные диски, насадки, листы / зернистость 80, 1 в наборе, до 5600 об/мин, ширина/диаметр 100 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы / зернистость 180, 1 в наборе, до 5600 об/мин, ширина/диаметр 100 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы / зернистость 40, 2 в наборе, до 3200 об/мин, ширина/диаметр 100 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы / ширина/диаметр 125 мм

для электрорубанков /для электрорубанков, для бренда Metabo, 2 в комплекте

для электрорубанков /для электрорубанков, для бренда Metabo, 2 в комплекте

Зажим / для прямых шлифмашин, для бренда Metabo

Зажим / для прямых шлифмашин, для бренда Metabo

Зажим / для прямых шлифмашин, для бренда Metabo

Зажим / для фрезеров, для бренда Metabo

Патрон / вид патрона быстрозажимной, переходник Metabo KHE, максимальный диаметр хвостовика13 мм

Патрон / вид патрона кулачковый зубчатый, усеченный конус B-18, максимальный диаметр хвостовика16 мм

Патрон / вид патрона быстрозажимной, внутренняя резьба 1/2"-20, максимальный диаметр хвостовика10 мм

Полотно / для ножовки, 2 шт, полотно биметалл (BIM), обрабатываемый материал металл

Полотно / для лобзика, 2 шт, полотно хром-ванадиевая сталь (CrV), обрабатываемый материал дерево, вид распила чистый

Полотно / для лобзика, 2 шт, обрабатываемый материал дерево, вид распила фигурный тонкий рез/чистый рез, хвостовик T-

Полотно / по дереву 100 мм, толщина материала 8-60 мм, фигурный рез, 2 шт.

Полотно / по металлу, дереву, 5 шт.

Полотно / для лобзикового станка, 5 шт, обрабатываемый материал дерево/ДСП/ДВП/пластмасса/фанера

Полотно / для сабельной пилы, 3 шт, полотно биметалл (BIM)/высокоуглеродистая сталь (HCS), обрабатываемый материал де

Полотно / для лобзика, 5 шт, полотно быстрорежущая сталь (HSS), обрабатываемый материал алюминий/металл,

Полотно /для сабельной пилы, 4 шт, полотно биметалл (BIM)/высокоуглеродистая сталь (HCS), обрабатываемый материал

Полотно / для лобзика, 6 шт, полотно высокоуглеродистая сталь (HCS), обрабатываемый материал дерево/металл, вид

Полотно / для сабельной пилы, 10 шт, полотно биметалл (BIM), хвостовик U-образный

Полотно / для лобзика, 10 шт, полотно быстрорежущая сталь (HSS)/высокоуглеродистая сталь (HCS), обрабатываемый

Полотно / лобзика, 5 шт, полотно быстрорежущая сталь (HSS), обрабатываемый материал металл, хвостовик T-образный, ра

Полотно / лобзика, 5 шт, полотно быстрорежущая сталь (HSS), обрабатываемый материал металл, хвостовик T-образный, ра

Полотно / для лобзика, 5 шт, полотно быстрорежущая сталь (HSS), обрабатываемый материал металл, хвостовик T-образный

Полотно /для лобзика, 5 шт, полотно биметалл (BIM), обрабатываемый материал металл, хвостовик T-образный,

Полотно /для лобзика, 5 шт, полотно биметалл (BIM), обрабатываемый материал металл, хвостовик T-образный,

Полотно / для сабельной пилы, 2 шт, полотно высокоуглеродистая сталь (HCS), обрабатываемый материал кожа/пеноматериал

Полотно /для лобзика, 10 шт, обрабатываемый материал дерево, хвостовик T-образный

Полотно /для ножовки, полотно биметалл (BIM), обрабатываемый материал металл

Полотно / для ленточной пилы, обрабатываемый материал дерево/металл

Полотно / для сабельной пилы, 10 шт, полотно биметалл (BIM), хвостовик U-образный

Полотно / для ленточной пилы, 1 шт, обрабатываемый материал дерево

Полотно / по дереву 132 мм, толщ. материала 8-100 мм, быстрый рез, 2 шт.

Полотно / по дереву 100 мм, толщина материала 3-60 мм, чистый рез, 2 шт.

Стойка /

Стойка /

Стойка /

Стойка /

Фреза / 6 шт в наборе, пазовая, обрабатываемый материал: дерево

Фреза / 6 шт в наборе, пазовая, обрабатываемый материал: дерево

Фреза / 16 шт в наборе, кромочная (профильная)/пазовая/обгонная, обрабатываемый материал: дерево, диаметр хвостовика

Фреза / 12 шт в наборе, кромочная (профильная)/пазовая, обрабатываемый материал: дерево

Фреза / 12 шт в наборе, кромочная (профильная)/пазовая, обрабатываемый материал: дерево, диаметр хвостовика 8 мм

Фреза / 12 шт в наборе, обрабатываемый материал: дерево, диаметр хвостовика 8 мм

Фреза / 12 шт в наборе, обрабатываемый материал: дерево, материал режущей части карбид вольфрама, диаметр хвостовика

Фреза / 3 шт в наборе, копировальная/кромочная (профильная)/пазовая, обрабатываемый материал: дерево, рабочий диаметр

Фреза / 35 шт в наборе, кромочная (профильная)/пазовая, обрабатываемый материал: дерево, диаметр хвостовика 8 мм

Фреза /12 шт в наборе, кромочная (профильная)/пазовая, обрабатываемый материал: дерево, диаметр хвостовика 8 мм

Фреза / 12 шт в наборе, кромочная (профильная)/пазовая, обрабатываемый материал: дерево, диаметр хвостовика 8 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /универсальный, зернистость 80, 3 в наборе, длина 914 мм, ширина/диаметр 100 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево, зернистость 60/80/100, 3 в наборе, сухая шлифовка, длина 915 мм, ширина/д

Шлифовальные диски, насадки, листы /зернистость 60/80/120, 5 в наборе, длина 686 мм, ширина/диаметр 50 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/металл, зернистость 24, 3 в наборе, сухая шлифовка, длина 533 мм, ширина/д

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/металл, зернистость 60, 3 в наборе, сухая шлифовка, длина 533 мм, ширина/д

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/металл, зернистость 100, 3 в наборе, сухая шлифовка, длина 533 мм, ширина/

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/металл, зернистость 150, 3 в наборе, сухая шлифовка, длина 533 мм, ширина/

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/металл, зернистость 120, 5 в наборе, длина 533 мм, ширина/диаметр 75 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /сталь/металл, зернистость buff, 1 в наборе, до 1591 об/мин, длина 760 мм, ширина/

Шлифовальные диски, насадки, листы / зернистость 120, 3 в наборе, длина 3380 мм, ширина/диаметр 25 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы / зернистость 80, 3 в наборе, длина 3380 мм, ширина/диаметр 25 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы / дерево/металл, зернистость 80/120/180, 3 в наборе, сухая шлифовка, ширина/диамет

Шлифовальные диски, насадки, листы / дерево/металл/краска, зернистость 80/120, 15 в наборе, сухая шлифовка, ширина/ди

Шлифовальные диски, насадки, листы / дерево/металл/краска, зернистость 80/120, 15 в наборе, сухая шлифовка, ширина/ди

Шлифовальные диски, насадки, листы /гипс/дерево/металл/пластик, зернистость 80, 3 в наборе, ширина/диаметр 150 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /зернистость 80, 10 в наборе, ширина/диаметр 150 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /зернистость 120, 10 в наборе, ширина/диаметр 150 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/фанера/сталь/металл/полиэстер, зернистость 240, 10 в наборе, длина 280 мм,

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/фанера/сталь/металл/полиэстер, зернистость 80, 25 в наборе, ширина/диаметр

Шлифовальные диски, насадки, листы /металл, зернистость 280, 5 в наборе, ширина/диаметр 125 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы / универсальный, 1 в наборе, ширина/диаметр 150 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы / универсальный, зернистость 80, 1 в наборе, ширина/диаметр 150 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы / универсальный, зернистость 80, 1 в наборе, ширина/диаметр 125 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /шпатлевка, зернистость 60, 25 в наборе, ширина/диаметр 225 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /2 в наборе

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/металл, зернистость 60, 3 в наборе, длина 686 мм, ширина/диаметр 50 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/металл, зернистость 80, 3 в наборе, длина 686 мм, ширина/диаметр 50 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/металл, зернистость 120, 3 в наборе, длина 686 мм, ширина/диаметр 50 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/металл, зернистость 150, 3 в наборе, длина 686 мм, ширина/диаметр 50 мм

Шлифовальные диски, насадки, листы /дерево/лак/штукатурка/краска, зернистость 240, 5 в наборе, ширина/диаметр 150 мм

ext. / внешняя, USB Type-A

ext. / 2.0 channel out 44-48KHz volume control (7.1 virtual channel) RTL

ext. / внешняя, 2.0, USB

ext. /внешняя, 2.0, USB

ext. /внешняя, 2.0, USB

ext. / внешняя, 2.0, USB

ext. / внешняя, USB

Портативный усилитель / ЦАП (USB Type-C), 32 бит/384 кГц (5.0), 20-40000 Гц, 16 — 600 Ом

ext. /USB аудиоадаптер, USB Type-A, 2.0

int. / внутренняя звуковая карта, PCIe, 5.1/7.1

ext. / 2.0 channel out 44-48KHz (5.1 virtual channel) RTL

ext. / внешнее, 2.0, интерфейс USB

ext. / внешнее, 5.1, 7.1, выборка 24 бит

ext. / ввнешняя, 7.1, USB

ext. / внешнее, 2.0, интерфейс USB, ЦАП 16 бит / 48 кГц, АЦП 16 бит / 48 кГц

ext. / USB аудиоадаптер, USB Type-A, 2.0

ext. / внешняя, USB

ext. / USB аудиоадаптер, USB Type-A/USB Type-C, 2.0

int. / PCIe

int. / внутренняя, PCIe, 5.1/7.1, подсветка

int. / внутренняя, 5.1, PCIe

ext. / исполнение внешняя, интерфейс USB, 2 лин. входа, 2 лин. лин. выхода, монит. выход

ext. / USB аудиоадаптер, USB Type-A, 2.0

int. / внутренняя, 7.1, PCIe

сушилка классическая, мощность: 2000 Вт

сушилка классическая, мощность: 1110 Вт, время сушки: 10 с

сушилка классическая, мощность: 1000 Вт

сушилка классическая, мощность: 1110 Вт

сушилка классическая, мощность: 1000 Вт, время сушки: 10 с

сушилка классическая, мощность: 1250 Вт, время сушки: 10 с

сушилка классическая, мощность: 2000 Вт

сушилка классическая, мощность: 1200 Вт, время сушки: 7 с

сушилка классическая, мощность: 2000 Вт

сушилка классическая, мощность: 2200 Вт

сушилка погружная, мощность: 2000 Вт

сушилка классическая, мощность: 850 Вт

сушилка классическая, мощность: 1500 Вт

сушилка классическая, мощность: 2000 Вт

биокамин, отдельностоящий, современный стиль

электрокамин, встраиваемый, современный стиль, 2000 Вт, имитация 2D (LED), термостат, пульт

электрокамин, встраиваемый, современный стиль, 2000 Вт, имитация 2D (LED), термостат, пульт

электрокамин, встраиваемый, современный стиль, 2000 Вт, имитация 2D (LED), термостат, пульт

электрокамин, встраиваемый, современный стиль, 2000 Вт, имитация 2D (LED), термостат, пульт

электрокамин, встраиваемый, современный стиль, 2000 Вт, имитация 2D (LED), термостат, пульт

электрокамин, встраиваемый, современный стиль, 2000 Вт, имитация 2D (LED), термостат, пульт

электрокамин, встраиваемый, современный стиль, 2000 Вт, имитация 2D (LED), термостат, пульт

электрокамин, встраиваемый, современный стиль, 2000 Вт, имитация 2D (LED), термостат, пульт

электрокамин, встраиваемый, современный стиль, 2000 Вт, имитация 2D (LED), термостат, пульт

кондиционер для белья, ручная/машинная стирка, универсальное, цветочный, концентрат, 0.6 л, на 24 мойки/стирки

кондиционер для белья, ручная/машинная стирка, универсальное, цветочный, концентрат, 0.6 л, на 24 мойки/стирки

кондиционер для белья, ручная/машинная стирка, универсальное, цветочный, концентрат, 2 л, на 40 моек/стирок